[发明专利]具有过电压保护的电压限制器有效
申请号: | 201880017795.3 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN110475690B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | 亚诺梅勒·舒奇;雅罗斯拉夫·鲁齐卡;帕维尔·博切扎 | 申请(专利权)人: | 沙尔特克有限公司 |
主分类号: | B60M5/02 | 分类号: | B60M5/02 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 谢玉斌 |
地址: | 捷克拉贝*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 过电压 保护 电压 限制器 | ||
1.一种具有过电压保护的电压限制器,所述电压限制器包括绝缘壳(26),所述绝缘壳(26)从顶部由设置有第一连接点(1)的导电导热的第一接触板(2)且从底部由设置有第二连接点(9)的导电导热的第二接触板(10)封闭,其中,沿相反方向定向的两个触发半导体元件(5,13)位于绝缘壳(26)的内部,并且由压敏电阻或并联的更多个压敏电阻组成的保护构件(17)与所述两个触发半导体元件(5,13)并联连接;其中,所述保护构件(17)位于两个内板(3,11)之间,而所述半导体元件(5,13)经由辅助线同时与电子控制装置和连接点(1,9)互连;并且其中,所述限制器装备有用于各个部件的相互夹紧和电互连的压缩结构,所述各个部件包括第一触发半导体元件(5)和第二触发半导体元件(13),
其中,所述第一触发半导体元件(5)位于导热导电的第一内板(3)与导热导电的第一接触板(2)之间,所述第一内板(3)与所述第一触发半导体元件(5)的阴极(7)接触并且所述第一接触板(2)与所述第一触发半导体元件(5)的阳极(6)接触,所述第二触发半导体元件(13)位于导热导电的第二内板(11)与导热导电的第二接触板(10)之间,所述第二内板(11)与所述第二触发半导体元件(13)的阴极(15)接触并且所述第二接触板(10)与所述第二触发半导体元件(13)的阳极(14)接触;其中,所述第一接触板(2)和所述第二内板(11)至少被垂直于X轴定位的两个导电的第一推力构件(18)经由所述第一触发半导体元件(5)、所述第一内板(3)和所述保护构件(17)彼此推压,该两个导电的第一推力构件(18)通过第一绝缘壳(20)与所述第一内板(3)电绝缘;而同时所述第一接触板(2)和所述第二内板(11)电互连;其中,所述第二接触板(10)和所述第一内板(3)至少被垂直于X轴定位的两个导电的第二推力构件(19)经由所述第二触发半导体元件(13)、所述第二内板(11)和所述保护构件(17)彼此推压,该两个导电的第二推力构件(19)通过第二绝缘壳(21)与所述第二内板(11)电绝缘,而同时所述第二接触板(10)和所述第一内板(3)电结合。
2.根据权利要求1所述的限制器,其中,所述电子控制装置位于所述绝缘壳(26)的外部,并且由与所述第一触发半导体元件(5)的控制电极(8)、所述第一接触板(2)和所述第一内板(3)互连的第一控制装置(4)以及与所述第二触发半导体元件(13)的控制电极(16)、所述第二接触板(10)和所述第二内板(11)互连的第二控制装置(12)组成。
3.根据权利要求2所述的限制器,其中,所述电子控制装置位于所述绝缘壳(26)的内部,并且由所述第一控制装置(4)和所述第二控制装置(12)组成,并且其中,所述第一内板(3)由第一平板(3A)和第一附加板(3B)组成,所述第一附加板(3B)位于所述第一平板(3A)的上表面上并且具有反向的U形横切,其中,位于形成的第一空腔(24)中的所述第一控制装置(4)经由穿过所述第一附加板(3B)中的开口的第一互连销(22)与位于所述第一附加板(3B)与所述第一接触板(2)之间的第一触发半导体元件(5)的控制电极(8)互连,所述第一控制装置(4)经由辅助线与所述第一接触板(2)和所述第一附加板(3B)互连,并且所述第二内板(11)由第二平板(11A)和第二附加板(11B)组成,所述第二附加板(11B)位于所述第二平板(11A)的底表面上并具有U型横切,其中,位于形成的第二空腔(25)中的所述第二控制装置(12)经由穿过所述第二附加板(11B)中的开口的第二互连销(23)与位于所述第二附加板(11B)与所述第二接触板(10)之间的第二触发半导体元件(13)的控制电极(16)互连,并且所述第二控制装置(12)经由辅助线与第二接触板(10)和第二附加板(11B)互连。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的限制器,其中,所述第一触发半导体元件(5)和所述第二触发半导体元件(13)由封装的晶闸管组成。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的限制器,其中,所述第一触发半导体元件(5)和所述第二触发半导体元件(13)由半导体芯片组成。
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