[发明专利]摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201880017889.0 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN110520993A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 熊谷至通;阿部高志;吉田辽人;山村育弘 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/374 |
代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 姚鹏;曹正建<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换部 电荷 电荷捕获区域 摄像装置 半导体基板 电子设备 像素信号 光入射 接收光 遮光部 捕获 遮挡 传输 转换 应用 | ||
本发明涉及能够获得更好的像素信号的摄像装置和电子设备。本发明包括:将接收光转换为电荷的光电转换部;和保持从光电转换部传输的电荷的保持部。光电转换部和保持部形成在具有预定厚度的半导体基板中。保持部被形成为具有不大于所述预定厚度的一半或更小的厚度。在形成保持部的区域的光入射侧还形成有捕获电荷的电荷捕获区域。在光电转换部和电荷捕获区域之间还形成有遮挡光的遮光部。本发明能够应用于摄像装置。
技术领域
本发明涉及摄像装置和电子设备,例如,涉及能够获得更好的像素信号的摄像装置和电子设备。
背景技术
诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)的摄像装置广泛用于数码照相机、数码摄像机等。
例如,CMOS图像传感器上的入射光在包括在像素中的光电二极管(PD)中经受光电转换。然后,PD中产生的电荷通过传输晶体管而被传输至浮动扩散部(FD),并转换成具有根据接收光量而定的电平的像素信号。
同时,在传统CMOS图像传感器中,由于通常采用按顺序逐行读取来自各个像素的像素信号的机制(所谓的滚动快门机制),有时会由于曝光时间的差异而发生图像失真。
因此,例如,专利文献1公开了一种CMOS图像传感器,其采用通过在每个像素中设置电荷保持部,以同时从所有像素读取像素信号的方案,即所谓的全局快门方案,该CMOS图像传感器具有全像素同步电子快门功能。通过采用全局快门方案,针对所有像素的曝光时间变得相同,使得能够避免图像中出现失真。
引用列表
专利文献
专利文献1:
日本专利申请公开第2008-103647号
发明内容
本发明要解决的技术问题
由于在采用了像素中设置有电荷保持部的构造的情况下像素布局受到限制,因此降低了孔径比,并且存在可能降低PD灵敏度或可能降低PD和电荷保持部的容量的问题。此外,存在如下问题:在保持电荷的同时入射到电荷保持部的光可能产生光学噪声。
考虑到以上情况,提出了本发明,并且能够获得更好的像素信号。
技术问题的解决方案
根据本发明的一个方面的摄像装置包括:光电转换部,所述光电转换部构造为将接收光转换为电荷;和保持部,所述保持部构造为保持从所述光电转换部转移的电荷,其中,所述光电转换部和所述保持部形成在具有预定厚度的半导体基板中,并且所述保持部的厚度形成为所述预定厚度的一半或更小。
根据本发明的另一个方面的电子设备包括:摄像装置,包括:光电转换部,所述光电转换部构造为将接收光转换为电荷;和保持部,所述保持部构造为保持从所述光电转换部转移的电荷,其中,所述光电转换部和所述保持部形成在具有预定厚度的半导体基板中,并且所述保持部的厚度形成为所述预定厚度的一半或更小;和处理单元,所述处理单元构造为处理来自所述摄像装置的信号。
根据本发明的另一个方面的摄像装置包括:光电转换部,所述光电转换部构造为将接收光转换为电荷;和保持部,所述保持部构造为保持从所述光电转换部转移的电荷。所述光电转换部和所述保持部形成在具有预定厚度的半导体基板中,并且所述保持部的厚度形成为所述预定厚度的一半或更小。
根据本发明的另一个方面的电子设备包括摄像装置。
本发明的有益效果
根据本发明的一个方面,能够获得更好的像素信号。
注意,此处描述的效果不一定是限制性的,并且可以应用本公开所述的任何效果。
附图说明
图1是示出了图像传感器的构造的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的