[发明专利]传感器标记和制造传感器标记的方法有效
申请号: | 201880017997.8 | 申请日: | 2018-02-15 |
公开(公告)号: | CN110431485B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | J·A·克鲁格基斯特;V·Y·巴宁;J·F·M·贝克斯;M·贾姆布纳坦;M·A·纳萨勒维克;A·尼基佩洛维;R·J·W·斯塔斯;D·F·弗勒斯;W·J·J·韦尔特斯;S·赖克 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;G01J1/42 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 标记 制造 方法 | ||
1.一种传感器标记,包括:
衬底,所述衬底具有:
第一深紫外吸收层,包括吸收深紫外辐射的第一材料;
第一保护层,包括第二材料;以及
其中:
所述第一深紫外吸收层中具有第一通孔;
所述第一保护层在平面图中位于所述第一通孔中,并且所述第一通孔中的所述第一保护层具有包括多个通孔的图案化区域;并且
所述第二材料比所述第一材料更优质。
2.根据权利要求1所述的传感器标记,还包括第二保护层,所述第二保护层包括位于所述第一深紫外吸收层上的第三材料。
3.根据权利要求2所述的传感器标记,其中所述第三材料至少部分地吸收深紫外辐射,和/或其中所述第三材料反射或透射可见和/或红外辐射。
4.根据权利要求2或3所述的传感器标记,其中所述第二材料吸收深紫外辐射。
5.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第一深紫外吸收层和所述衬底被布置为抑制正入射或掠入射的处于可见区域波长范围的反射。
6.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第一保护层覆盖所述第一深紫外吸收层的至少一部分,从而防止所述第一深紫外吸收层的暴露。
7.根据权利要求2所述的传感器标记,其中所述第二保护层覆盖所述第一深紫外吸收层的边缘,所述边缘限定所述第一通孔。
8.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第一深紫外吸收层包括不同材料的至少两个子层。
9.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第一保护层覆盖所述第一深紫外吸收层中的所述第一通孔的面积的一半以上。
10.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第一深紫外吸收层的边缘限定所述第一通孔,并且所述第一保护层覆盖所述边缘。
11.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第一保护层至少部分地形成在所述第一深紫外吸收层上。
12.根据权利要求2所述的传感器标记,其中所述第二保护层部分地形成在所述第一保护层上。
13.根据权利要求2所述的传感器标记,其中所述第一保护层部分地形成在所述第二保护层上。
14.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第二材料是贵金属。
15.根据权利要求14所述的传感器标记,其中所述贵金属为钌、铑、钯、银、铱、铂或金。
16.根据权利要求1所述的传感器标记,其中所述第二材料包括陶瓷或氧化物、或准金属、或硅化物。
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