[发明专利]顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的制造方法有效
申请号: | 201880018015.7 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN110402243B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 斋藤伸弥;熊野达之 | 申请(专利权)人: | 三菱瓦斯化学株式会社 |
主分类号: | C07C51/43 | 分类号: | C07C51/43;C07C61/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顺式 环己烷 羧酸 晶体 制造 方法 | ||
1.一种顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的制造方法,其具备下述工序,
工序1:测定含有顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸的原料水溶液中的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸相对于反式,反式-1,2,4-环己烷三羧酸的质量比,即,顺式/反式比,形成顺式/反式比为19.7以上的析晶用原料水溶液的工序;
工序2:将工序1中得到的析晶用原料水溶液析晶的工序。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述工序2中,将析晶用原料水溶液浓缩,浓缩后的析晶用原料水溶液的溶剂相对于溶质的质量比为0.1~5。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,所述顺式/反式比为40以上。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,所得顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的纯度为90质量%以上。
5.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,工序2中的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸的回收率为60质量%以上。
6.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,工序2中,添加晶种。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其中,晶种的添加量相对于析晶原料水溶液所含有的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸为0.01~40质量%。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法,其中,添加晶种时的析晶用原料水溶液的温度为1~60℃。
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