[发明专利]用于控制多芯片功率模块的健康的方法和多芯片健康监测装置有效
申请号: | 201880018131.9 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN110431430B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | J·万楚克;J·布兰德雷洛 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 芯片 功率 模块 健康 方法 监测 装置 | ||
1.一种用于控制包括多个芯片的多芯片功率模块的健康的方法,多芯片健康监测装置接收输入信号并驱动所述多芯片功率模块的所述芯片,所述多芯片功率模块的至少一个芯片群向负载提供电流,其中,所述方法由所述多芯片健康监测装置执行,并且包括以下步骤:
在由所述芯片群提供给所述负载的给定电流处,将所述芯片群的一个芯片设置为非导通状态;
当该芯片处于所述非导通状态时,获得表示该芯片的温度的信号并确定该芯片的所述温度;
当该芯片处于所述非导通状态时,获得表示该芯片的接通状态电压的信号并确定该芯片的所述接通状态电压作为第一接通状态电压;
在所述多芯片健康监测装置的存储器中存储的表中取得与所述给定电流和该芯片的所确定温度对应的接通状态电压作为第二接通状态电压;
如果该芯片的所述第一接通状态电压与所述第二接通状态电压之间的差等于或高于预定值,则通知需要更换所述多芯片功率模块。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述预定值等于所述第二接通状态电压的20%。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,通过向所述芯片的栅极提供电流来获得表示该芯片的温度的信号和表示该芯片的接通状态电压的信号。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,表示该芯片的温度的信号是在第一预定持续时间期间通过对从该芯片的内部栅极电阻值的测量而获得的,并且表示该芯片的接通状态电压的所述信号是在第一时间段随后的第二时间段期间通过对该芯片的等效电容值的测量而获得的。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,对于所述芯片群的各芯片顺序执行所述方法。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述多芯片功率模块包括多个芯片,并且对于各芯片群执行所述方法。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,所述给定电流值被包括在提供给所述负载的峰值电流值的+/-15%之间。
8.一种用于控制包括多个芯片的多芯片功率模块的健康的多芯片健康监测装置,所述多芯片健康监测装置接收输入信号并驱动所述多芯片功率模块的芯片,所述多芯片功率模块的至少一个芯片群向负载提供电流,其中,所述多芯片健康监测装置包括:
用于在由所述芯片群提供给所述负载的给定电流处,将所述芯片群的一个芯片设置为非导通状态的单元;
用于当所述芯片处于所述非导通状态时,获得表示所述芯片的温度的信号并确定所述芯片的所述温度的单元;
用于当所述芯片处于所述非导通状态时,获得表示所述芯片的接通状态电压的信号并确定所述芯片的所述接通状态电压作为第一接通状态电压的单元;
用于在所述多芯片健康监测装置的存储器中存储的表中取得与所述给定电流和所述芯片的所述所确定温度对应的接通状态电压作为第二接通状态电压的单元;
用于如果所述芯片的所述第一接通状态电压与所述第二接通状态电压之间的差等于或高于预定值,则通知需要更换所述多芯片功率模块的单元。
9.根据权利要求8所述的多芯片健康监测装置,其中,所述预定值等于所述第二接通状态电压的20%。
10.根据权利要求9所述的多芯片健康监测装置,其中,表示该芯片的温度的所述信号和表示该芯片的接通状态电压的所述信号通过向所述芯片的栅极提供电流来获得。
11.根据权利要求10所述的多芯片健康监测装置,其中,表示该芯片的温度的所述信号在第一预定持续时间期间从所述芯片的内部栅极电阻值的测量获得,并且表示该芯片的接通状态电压的所述信号在第一时间段随后的第二时间段期间从该芯片的等效电容值的测量获得。
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