[发明专利]固体电解质的制造方法有效
申请号: | 201880018253.8 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN110431643B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 山田拓明;牧野刚士 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/06;H01B1/10;H01M10/0562 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王铭浩 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解质 制造 方法 | ||
一种硫化物系固体电解质的制造方法,其提供具有高离子传导率的硫化物系固体电解质,其中,所述硫化物系固体电解质包含碱金属、硫元素、磷元素和卤素元素,所述制造方法中,在具有吸电子基团的有机溶剂中,使硫化碱金属、与包含硫元素、磷元素和卤素元素中的至少一种元素的物质进行反应。
技术领域
本发明涉及固体电解质的制造方法。
背景技术
在全固体电池领域中,一直以来已知硫化物系固体电解质材料。例如,专利文献1中报道了:使硫化锂与硫化磷反应来制造硫化物玻璃,并对该硫化物玻璃实施热处理,由此得到具有高离子传导率的玻璃陶瓷电解质(例如,参照专利文献1)。另外,有报道称,使卤化锂、硫化锂与硫化磷反应来制造硫化物玻璃,对该硫化物玻璃实施热处理,由此得到具有高离子传导率的玻璃陶瓷电解质(例如,参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-228570号公报
专利文献2:日本特开2013-201110号公报
发明内容
发明要解决的课题
此外,特别是近年来,伴随上述信息相关设备、通信设备等的急速普及和高性能化,正在寻求更廉价、且更高的离子传导率的硫化物系固体电解质。一般已知,硫化物系固体电解质根据其制造方法的各条件、例如所使用的原料的种类、配合比、反应温度等反应条件等,而导致其离子传导率上下变动。为了应对对更廉价、且具有更高离子传导率的硫化物系固体电解质的渴望,要求不仅是专利文献1和2中记载的方法,还要对制造工艺面从各种角度进行研究。
本发明鉴于这样的状况而进行,其目的在于提供具有高离子传导率的硫化物系固体电解质的制造方法。
解决课题的方法
本发明人为了解决上述课题,进行了深入研究,结果发现通过下述发明能够解决该课题。
[1]一种硫化物系固体电解质的制造方法,其中,所述硫化物系固体电解质包含碱金属、硫元素、磷元素和卤素元素,所述制造方法中,在具有吸电子基团的有机溶剂中,使硫化碱金属、与包含硫元素、磷元素和卤素元素中的至少一种元素的物质进行反应。
[2]上述[1]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,所述物质包含卤化碱金属。
[3]上述[2]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,使硫化碱金属、磷化合物和卤化碱金属进行反应。
[4]上述[2]或[3]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,所述卤化碱金属为选自溴化锂和碘化锂中的至少1种。
[5]上述[3]或[4]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,磷化合物为硫化磷。
[6]上述[1]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,上述物质包含式(1)所示的物质。
X2...(1)
(通式(1)中,X为卤素元素。)
[7]上述[6]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,所述式(1)所示的物质为选自碘和溴中的至少1种。
[8]上述[6]或[7]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,使硫化碱金属、磷化合物和式(1)所示的物质进行反应。
[9]上述[8]所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,上述磷化合物为硫化磷。
[10]上述[1]~[9]中任一项所述的硫化物系固体电解质的制造方法,其中,上述硫化碱金属为选自硫化锂和硫化钠中的至少1种。
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