[发明专利]用于形成光电器件的生长基板、制造该基板的方法以及该基板特别是在微显示器领域的使用

权利要求书

1.一种用于具有各种晶格参数的多个晶体半导体岛状物(3a,3b)的制造方法，其中，该方法包括以下步骤：

-提供弛豫基板(6)，该弛豫基板(6)包括介质(7)、设置在所述介质(7)上的流层(8)以及布置在所述流层上的多个晶体半导体岛状物(9)，所述多个晶体半导体岛状物(9)具有相同的初始晶格参数，并且包括具有第一横向膨胀势的第一组岛状物(9a)以及具有不同于所述第一横向膨胀势的第二横向膨胀势的第二组岛状物(9b)；

-在高于或等于所述流层(8)的玻璃化转变温度的弛豫温度下对所述弛豫基板(6)进行热处理以导致所述第一组和所述第二组的岛状物的差异化弛豫，这是因为所述第一组的弛豫岛状物(3a)和所述第二组的弛豫岛状物(3b)的晶格参数然后具有不同的值。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在热处理步骤之前，所述第一组岛状物(9a)具有第一应变水平，并且所述第二组(9b)具有不同于所述第一应变水平的第二应变水平。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，提供所述弛豫基板(6)的步骤包括以下步骤：

-在基础基板(14)上形成具有应变水平不同的第一区域(13a)和第二区域(13b)的基本晶体半导体层(12a,12b)的层叠物(12)；

-将所述层叠物(12)的至少部分转移到所述介质(7)；

-在所述层叠物(12)上开沟槽(4)以使所述第一组岛状物(9a)中的岛状物(9)形成在所述第一区域(13a)中并使所述第二组岛状物(9b)中的岛状物(9)形成在所述第二区域(13b)中。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，在所述层叠物(12)中开所述沟槽(4)的步骤在向所述介质(7)转移的步骤之后执行。

5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其中，在所述基础基板(14)上形成所述层叠物(12)的步骤包括以下步骤：

-形成具有不同组成的多个假晶基本层(12a,12b)；

-局部去除所述基本层(12a,12b)的部分以限定所述第一区域(13a)和所述第二区域(13b)。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述流层(8)由在所述弛豫温度下具有第一粘度的第一组块(8a)以及在所述弛豫温度下具有不同于所述第一粘度的第二粘度的第二组块(8b)组成，所述第一组岛状物(9a)中的岛状物布置在所述第一组块(8a)中的块上，并且所述第二组岛状物(9b)中的岛状物布置在所述第二组块(8b)中的块上。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，提供所述基板的步骤包括以下步骤：

-在所述介质(7)上形成由第一材料制成的第一流层(8a)；

-在所述第一流层(8a)中形成至少一个凹陷(10)；

-考虑形成流层的层叠物，在所述第一流层(8a)上以及在所述凹陷(10)中沉积由第二材料制成的第二流层(8b)；

-将所述层叠物平坦化以除了所述凹陷中之外消除所述第二流层并形成所述第一组块(8a)以及所述第二组块(8b)。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，提供步骤包括以下步骤：

-在所述流层上形成所述多个晶体半导体岛状物(9)，所述多个晶体半导体岛状物(9)具有相同的初始应变水平；

-选择性地处理应变岛状物(9)以形成第一组应变岛状物(9a)和第二组应变岛状物(9b)。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，选择性处理包括形成加强层(10)，该加强层(10)在所述第一组应变岛状物(9a)上具有第一厚度并且在所述第二组应变岛状物(9b)上具有不同于所述第一厚度的第二厚度。

10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其中，选择性处理包括在所述第一组应变岛状物(9a)上形成由第一材料形成的加强层(10)并且在所述第二组应变岛状物(9b)上形成由不同于所述第一材料的第二材料形成的加强层(10)。