[发明专利]背面偏置式半导体管芯的接地技术以及相关的设备、系统和方法在审
申请号: | 201880018770.5 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN110914982A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | B·米赫尔;F·陈;E·德劳斯圣托斯;A·昆戈 | 申请(专利权)人: | 微芯片技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L25/065;H01L23/552 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈斌 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 偏置 半导体 管芯 接地 技术 以及 相关 设备 系统 方法 | ||
1.一种半导体设备,包括:
衬底;和
背面偏置式半导体管芯,所述背面偏置式半导体管芯的背面表面与所述衬底隔开并通过延伸到所述衬底的一个或多个线接合件电连接到接地。
2.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述线接合件从直接位于所述背面偏置式半导体管芯的所述背面表面上的导电材料的质量块延伸到所述衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述线接合件从接地中介层延伸到所述衬底,所述接地中介层通过导电粘合剂材料机械地和电气地连接到所述背面偏置式半导体管芯的所述背面表面。
4.根据权利要求3所述的半导体设备,其中所述接地中介层横向延伸超出所述背面偏置式半导体管芯的至少一些侧表面。
5.根据权利要求3所述的半导体设备,其中所述背面偏置式半导体管芯处于倒装芯片取向,所述背面偏置式半导体管芯的有源表面面向所述衬底,所述接地中介层位于所述背面偏置式半导体管芯的与所述衬底相对的一侧上。
6.根据权利要求5所述的半导体设备,还包括位于所述接地中介层的与所述衬底相对的一侧上的另一背面偏置式半导体管芯,所述另一背面偏置式半导体管芯的背面表面通过另一导电粘合剂材料机械地和电气地连接到所述接地中介层。
7.根据权利要求6所述的半导体设备,其中所述另一背面偏置式半导体管芯的有源表面通过从所述有源表面延伸到至少一个导电元件的至少一个操作性线接合件电连接到所述衬底的所述至少一个导电元件。
8.根据权利要求3所述的半导体设备,其中所述背面偏置式半导体管芯堆叠在另一半导体管芯上方,所述接地中介层插置在所述背面偏置式半导体管芯和所述另一半导体管芯之间。
9.根据权利要求8所述的半导体设备,还包括间隔件,所述间隔件插置在所述另一半导体管芯和所述接地中介层之间。
10.根据权利要求8所述的半导体设备,其中所述另一半导体管芯的有源表面面向所述接地中介层。
11.根据权利要求10所述的半导体设备,其中所述另一半导体管芯的所述有源表面通过从所述有源表面延伸到至少一个导电元件的至少一个操作性线接合件电连接到所述衬底的所述至少一个导电元件。
12.一种制造半导体设备的方法,包括:
将背面偏置式半导体管芯支撑在衬底上方,所述背面偏置式半导体管芯的背面表面与所述衬底隔开;以及
通过延伸到所述衬底的线接合件将所述背面表面电连接到接地。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括将所述线接合件从直接位于所述背面偏置式半导体管芯的所述背面表面上的导电材料的质量块连接到所述衬底。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括将所述线接合件连接到接地中介层,所述接地中介层通过导电粘合剂材料机械地和电气地连接到所述背面偏置式半导体管芯的所述背面表面。
15.根据权利要求14所述的方法,其中将所述背面偏置式半导体管芯支撑在所述衬底上方包括将所述背面偏置式半导体管芯以倒装芯片取向支撑在所述衬底上方,所述背面偏置式半导体管芯的有源表面面向所述衬底,并且还包括将所述接地中介层放置在所述背面偏置式半导体管芯的与所述衬底相对的一侧上。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括将另一背面偏置式半导体管芯支撑在所述接地中介层的与所述衬底相对的一侧上,所述另一背面偏置式半导体管芯的背面表面通过另一导电粘合剂材料机械地和电气地连接到所述接地中介层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微芯片技术股份有限公司,未经微芯片技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880018770.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:治疗溶酶体贮积疾病及病症的组合物和方法
- 下一篇:用于体腔内的微创治疗的系统