[发明专利]用种晶剂合成沸石晶体的方法

权利要求书

1.合成沸石X晶体的方法，其包括至少一个将种晶剂添加到合成凝胶中的步骤和至少一个在等于或大于130℃的温度下形成沸石X晶体的步骤;

所述方法包括至少以下步骤：

a) 通过混合至少一种二氧化硅源、至少一种氧化铝源和任选的至少一种碱或碱土金属氢氧化物水溶液来制备合成凝胶，

b) 将所述合成凝胶与至少一种种晶剂混合以获得反应中间物，

c) 将反应中间物引入到反应器中，

d) 在等于或大于130℃的温度下进行结晶反应，

e) 过滤反应中间物以收取所产生的沸石X晶体，

其中引入到结晶反应器中的试剂的温度等于或大于50℃，

其中不存在熟化阶段，所述熟化阶段所需的温度为至多40℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其中结晶温度等于或小于200℃。

3.根据权利要求2所述的方法，其中结晶温度等于或小于160℃。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中引入到结晶反应器中的试剂的温度等于或大于60℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其中引入到结晶反应器中的试剂的温度等于或大于70℃。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中结晶温度和试剂的温度之间的差为0℃至100℃，包括端值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中结晶温度和试剂的温度之间的差为0℃至75℃，包括端值。

8.根据权利要求7所述的方法，其中结晶温度和试剂的温度之间的差为0℃至50℃，包括端值。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中沸石X晶体的Si/Al原子比为1.00至1.45，包括端值。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沸石X晶体的Si/Al原子比为1.05至1.45，包括端值。

11.根据权利要求10所述的方法，其中沸石X晶体的Si/Al原子比为1.10至1.45，包括端值。

12.根据权利要求11所述的方法，其中沸石X晶体的Si/Al原子比为1.10至1.30，包括端值。

13.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中种晶剂选自任何性质的矿物颗粒，以及其混合物。

14.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中种晶剂选自成核凝胶、沸石晶体、以及其混合物。

15.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所添加的种晶剂的总量相对于合成凝胶计占0.005重量%至10重量%。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所添加的种晶剂的总量相对于合成凝胶计占0.01重量%至5重量%。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所添加的种晶剂的总量相对于合成凝胶计占0.01重量%至3重量%。

18.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中结晶反应在大气压和1.5 MPa之间的压力下进行。

19.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其连续进行，并且其中结晶在装备有振荡装置的管式反应器中进行。