[发明专利]离子植入系统及其方法和处理离子束的减速级

权利要求书

1.一种离子植入系统，其特征在于，包括：

离子源，产生离子束；

衬底平台，设置在所述离子源的下游；

减速级，包括使所述离子束偏转的组件，所述减速级设置在所述离子源与所述衬底平台之间；以及

氢来源，直接耦合到所述减速级以向所述减速级提供氢气，

其中从所述离子束产生的高能中性物质不散射到所述衬底平台。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述减速级包括弯曲形状，其中所述减速级不提供所述离子束从所述减速级的入口到所述减速级的出口的视线路径。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，包括氢端口，所述氢端口将所述氢气直接输送到所述减速级中。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述减速级包括至少5×10^-6托的氢分压。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述氢来源包括用于向所述离子束提供氢的多个氢端口，其中所述氢端口中的至少一个氢端口设置在所述减速级中。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述氢来源包括电解氢产生器。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，所述离子束包括离子能量为50keV或小于50keV的硼离子。

8.一种离子植入方法，其特征在于，包括：

产生离子束；

使所述离子束在减速级中减速；

在所述减速期间，改变所述离子束的轨迹；以及

在所述减速期间，将从氢来源的氢气直接引导到所述减速级中。

9.根据权利要求8所述的离子植入方法，其特征在于，所述氢气通过所述减速级中的端口而被引导。

10.根据权利要求8所述的离子植入方法，其特征在于，所述减速级中的气压为至少5×10^-6托。

11.根据权利要求8所述的离子植入方法，其特征在于，包括利用本地氢产生器来产生所述氢气。

12.一种处理离子束的减速级，其特征在于，包括：

壳体，容纳所述离子束；

减速总成，使所述离子束减速，所述减速总成设置在衬底平台的上游，且所述减速总成包括设置在所述壳体内的第一多个电极；

偏转总成，使所述离子束偏转，所述偏转总成包括设置在所述壳体内的第二多个电极，其中所述离子束的轨迹被改变；以及

氢来源，在所述壳体内提供氢气，

其中所述壳体内的氢分压大于10^-6托。

13.根据权利要求12所述的减速级，其特征在于，所述壳体内的氢分压小于5×10^-5托。

14.根据权利要求12所述的减速级，其特征在于，从所述离子束产生的高能中性物质不被偏转到所述衬底平台。

15.根据权利要求12所述的减速级，其特征在于，所述离子束从进入所述减速级的初始轨迹偏转大于15度的角度。