[发明专利]碳化硅半导体装置、电力变换装置、碳化硅半导体装置的制造方法以及电力变换装置的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置(91～93)，具备：

半导体层(11)，具有第1面(P1)、与所述第1面相反的第2面(P2)以及将所述第1面与所述第2面之间连结的第1侧面(S1)；

碳化硅基板(12)，具有与所述第2面相对的第3面(P3)、与所述第3面相反的第4面(P4)以及将所述第3面与所述第4面之间连结的第2侧面(S2)；

第1电极层(16)，离开所述半导体层的所述第1面的边缘而配置，与所述第1面的一部分形成界面；

绝缘膜(15)，在所述半导体层的所述第1面上设置于所述第1电极层的周围；以及

第2电极层(18)，设置于所述碳化硅基板的所述第4面上，在面内方向上，向所述半导体层的所述第1面和所述第1电极层所形成的所述界面的外部延伸，

遍及所述半导体层的所述第1侧面上以及所述碳化硅基板的所述第2侧面上而设置有破碎层(20)，所述第2侧面上的所述破碎层的厚度比所述第1侧面上的所述破碎层的厚度大。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置(91～93)，其中，

所述第2侧面具有与所述第3面连结的第1部分和与所述第4面连结的第2部分，

所述第1侧面上的所述破碎层的厚度和所述第2侧面的所述第1部分上的所述破碎层的厚度分别比所述第2侧面的所述第2部分上的所述破碎层的厚度小。

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置(91～93)，其中，

所述半导体层的杂质浓度比所述碳化硅基板的杂质浓度低。

4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体装置(91～93)，其中，

所述第2侧面具有与所述第3面连结的第1部分和与所述第4面连结的第2部分，

所述第1侧面上的所述破碎层的厚度和所述第2侧面的所述第1部分上的所述破碎层的厚度分别比所述第2侧面的所述第2部分上的所述破碎层的厚度小。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的碳化硅半导体装置(91～93)，其中，

所述碳化硅基板的所述第2侧面上的所述破碎层的厚度为0.1μm以上。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的碳化硅半导体装置(92)，其中，

所述碳化硅基板的所述第2侧面中的至少一部分在面内方向上比所述半导体层的所述第1侧面中的至少一部分突出。

7.一种电力变换装置(200)，具备：

主变换电路(201)，具有权利要求1至6中的任意一项所述的碳化硅半导体装置(202)，该主变换电路将输入的电力进行变换而输出；以及

控制电路(203)，将控制所述主变换电路的控制信号输出到所述主变换电路。

8.根据权利要求7所述的电力变换装置(200)，其中，

所述主变换电路具有所述碳化硅半导体装置的所述第2电极层被接合的安装基板(210)。