[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，具有上表面和下表面；

上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；及

下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面，

在俯视观察时，所述半导体基板具有包含所述半导体基板的中心的第一范围和位于所述第一范围与所述半导体基板的外周缘之间的第二范围，

在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，

所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高，

所述MOSFET结构具有与所述上表面电极相接的n型的源极区、与所述下表面电极相接的n型的漏极区、介于所述源极区与所述漏极区之间并与所述上表面电极相接的p型的体区及介于所述体区与所述漏极区之间的n型的漂移区，

在所述第一范围中所述体区与所述上表面电极相接的面积的比例小于在所述第二范围中所述体区与所述上表面电极相接的面积的比例。

2.一种半导体装置，具备：

半导体基板，具有上表面和下表面；

上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；

下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面；及

绝缘性的保护膜，覆盖所述上表面电极的一部分，

在俯视观察时，所述半导体基板具有由所述保护膜覆盖的第一范围和未由所述保护膜覆盖的第二范围，

在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，该体二极管允许从所述上表面电极向所述下表面电极的通电，

所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。

3.一种半导体装置，具备：

半导体基板，具有上表面和下表面；

上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；及

下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面，

在所述上表面电极的上表面的至少一部分的范围接合有导电性构件，其中，

在俯视观察时，所述半导体基板具有未由所述导电性构件覆盖的第一范围和由所述导电性构件覆盖的第二范围，

在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，该体二极管允许从所述上表面电极向所述下表面电极的通电，

所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述MOSFET结构具有与所述上表面电极相接的n型的源极区、与所述下表面电极相接的n型的漏极区、介于所述源极区与所述漏极区之间并与所述上表面电极相接的p型的体区及介于所述体区与所述漏极区之间的n型的漂移区。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述第一范围中所述体区与所述上表面电极相接的面积的比例小于在所述第二范围中所述体区与所述上表面电极相接的面积的比例。

6.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中，

所述第一范围和所述第二范围分别具有所述体区与所述上表面电极彼此相接的多个接触部位，

所述第一范围中的所述接触部位的间隔比所述第二范围中的所述接触部位的间隔宽。

7.根据权利要求1或5所述的半导体装置，其中，

所述第一范围和所述第二范围分别具有所述体区与所述上表面电极彼此相接的多个接触部位，

所述第一范围中的所述接触部位的一个的面积比所述第二范围中的所述接触部位的一个的面积窄。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一范围和所述第二范围分别具有所述体区与所述上表面电极彼此相接的多个接触部位，

所述第一范围中的所述接触部位的一个的面积比所述第二范围中的所述接触部位的一个的面积窄。