[发明专利]有机发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201880019467.7 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN110447118B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 金禾景;李载澈;尹锡喜;金填硕;康爱德;申旨娟;李根洙;金炳宰 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵丹;尚光远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光器件,包括:
第一电极;
设置成与所述第一电极相对的第二电极;和
有机材料层,所述有机材料层包括设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层和设置在所述发光层与所述第一电极之间的空穴注入层,
其中所述空穴注入层包含第一主体、第二主体和掺杂剂;并且
所述第一主体与所述第二主体的HOMO能级值差为0.2eV或更大,
其中,所述第一主体为以下化合物中的任一者:
所述第二主体为以下化合物中的任一者:
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,关于在仅包括由氧化铟锡ITO形成的第一电极、空穴注入层和由Al形成的第二电极并且所述空穴注入层的厚度为的结构中的所述第一主体和所述第二主体,在所述空穴注入层包含所述第一主体时在2V或3V下的电流密度值与在所述空穴注入层包含所述第二主体时在2V或3V下的电流密度值之间的差为200mA/cm2或更大。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中所述第一主体和所述第二主体中的一者或更多者的HOMO能级值与所述掺杂剂的LUMO能级值之间的差为0.5eV或更小。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中所述有机材料层还包括空穴传输层,并且所述第一主体和所述第二主体中的一者或更多者的HOMO能级值与所述空穴传输层的HOMO能级值之间的差为0.5eV或更小。
5.一种用于制造根据权利要求1至4中任一项所述的有机发光器件的方法,包括:
准备基底;
在所述基底上形成所述第一电极;
在所述第一电极上形成包括空穴注入层的有机材料层;
在所述包括空穴注入层的有机材料层上形成包括发光层的有机材料层;以及
在所述包括发光层的有机材料层上形成所述第二电极,
其中所述空穴注入层包含所述第一主体、所述第二主体和所述掺杂剂。
6.根据权利要求5所述的用于制造有机发光器件的方法,其中所述空穴注入层使用溶液法或沉积法来形成。
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