[发明专利]用于沉积含硅薄膜的组合物及使用其制造含硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种用于沉积含硅薄膜的组合物，所述组合物包含由以下化学式2或3表示的甲硅烷基胺化合物：

[化学式2]

[化学式3]

在化学式2和3中，

R₁₁至R₁₄各自独立地为氢、C1-C5烷基或C2-C5烯基；

R₅和R₆各自独立地为C1-C5烷基；以及

n和m各自独立地为1至4的整数。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述甲硅烷基胺化合物选自以下化合物：

3.一种使用根据权利要求1或2所述的组合物制造含硅薄膜的方法。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过原子层沉积方法、化学气相沉积方法、金属有机化学气相沉积方法、低压化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积方法或等离子体增强原子层沉积方法进行沉积。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述含硅薄膜是氧化硅膜、碳氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氮化硅膜或碳化硅膜。

6.根据权利要求3所述的方法，包括：

a)将安装在腔室中的基底的温度保持在30至500℃；

b)使根据权利要求1或2所述的组合物与所述基底接触，以将所述组合物吸附在所述基底中；以及

c)将反应气体注入至其中吸附了所述组合物的所述基底以形成含硅薄膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在通过产生等离子体功率为50至1000W的等离子体激活所述反应气体之后，供应所述反应气体。