[发明专利]用于数据路径内计算操作的设备及方法有效

专利信息
申请号: 201880020103.0 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN110462738B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: P·V·莱亚 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10;G06F12/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 数据 路径 计算 操作 设备 方法
【说明书】:

发明包含用于数据路径内计算操作的设备及方法。一种实例设备包含存储器单元阵列。感测电路可选择地耦合到所述阵列。多个共享输入/输出I/O线提供数据路径。所述多个共享I/O线将所述阵列的行的第一子行经由所述感测电路可选择地耦合到所述数据路径中的第一计算组件以将第一数据值从所述第一子行移动到所述第一计算组件且将相应行的第二子行经由所述感测电路可选择地耦合到第二计算组件以将第二数据值从所述第二子行移动到所述第二计算组件。使用所述第一计算组件对来自所述第一子行的所述第一数据值执行运算,大体上同时将所述第二数据值从所述第二子行移动到所述第二计算组件。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及用于数据路径内计算操作的设备及方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如,主机数据、错误数据等),且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)与晶闸管随机存取存储器(TRAM)等。非易失性存储器可在未供电时通过留存存储数据而提供永久性数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻性随机存取存储器(MRAM),例如自旋力矩转移随机存取存储器(STT RAM)等。

电子系统通常包含数个处理资源(例如,一或多个处理器),所述处理资源可检索及执行指令且将所述经执行指令的结果存储到合适位置。处理器可包括数个功能单元(例如算术逻辑单元(ALU)电路、浮点单元(FPU)电路及组合逻辑块),举例来说,所述功能单元可用于通过对数据(例如,一或多个操作数)执行运算而执行指令。如本文中所使用,运算可为(例如)布尔(Boolean)运算(例如AND、OR、NOT、NOT、NAND、NOR及XOR),及/或其它运算(例如,反相、移位、算术、统计以及许多其它可能运算)。举例来说,功能单元电路可用于经由数个运算对操作数执行算术运算,例如加法、减法、乘法及除法。

在提供指令到功能单元电路以供执行时可涉及电子系统中的数个组件。可例如通过处理资源(例如控制器及/或主机处理器)执行所述指令。数据(例如,将对其执行指令的操作数)可存储于可通过功能单元电路存取的存储器阵列中。可从所述存储器阵列检索指令及/或数据,且可在功能单元电路开始对所述数据执行指令之前序列化及/或缓冲所述指令及/或数据。此外,由于可通过功能单元电路以一或多个时钟循环执行不同类型的运算,所以还可序列化及/或缓冲所述指令及/或数据的中间结果。在一或多个时钟循环中完成运算的序列可被称为运算循环。就计算设备及/或系统的处理及计算性能及电力消耗来说,完成运算循环所消耗的时间成本较高。

在许多例子中,处理资源(例如,处理器及相关联功能单元电路)可在存储器阵列外部,且可经由所述处理资源与所述存储器阵列之间的总线存取数据以执行指令集。可改进其中可在存储器内部及/或附近(例如,直接在与存储器阵列相同的芯片上)实施处理及/或逻辑资源的存储器中处理(PIM)装置中的处理性能。存储器中处理(PIM)装置可通过减小及消除外部通信而节省时间且还可节约电力。

附图说明

图1A是根据本发明的数个实施例的呈包含存储器装置的计算系统的形式的设备的框图。

图1B是根据本发明的数个实施例的呈包含存储器装置(其具有在阵列的存储器库区段本地的数据路径中的共享输入/输出(I/O)线)的计算系统的形式的设备的另一框图。

图2是说明根据本发明的数个实施例的存储器装置的电路的示意图,所述电路包含感测放大器及计算组件,其可包含于感测电路及/或逻辑条中。

图3是说明根据本发明的数个实施例的用于阵列的数据路径中的多个共享I/O线的电路的示意图。

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