[发明专利]具有带有凹形弯曲部的底板的半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块的制造方法，

-其中，在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上施加结构化的金属层(2)，并且所述结构化的金属层(2)接触至少一个电子部件(4)，

-其中，在所述基底(1)的下侧施加金属接触层(3)，

-其中，所述基底(1)的下侧在所述基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面，

-其中，所述接触层(3)经由中间层(6)与金属的底板(7)连接，

-其中，所述接触层(3)与金属的所述底板(7)的所述连接在温度(T1)升高的情况下进行，并且随后进行所述半导体模块的冷却，

-其中，金属的所述底板(7)的朝向所述基底(1)的侧面和金属的所述底板(7)的背离所述基底(1)的侧面在所述底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面，并且

-其中，所述底板(7)在所述半导体模块冷却时在所述底板的背离所述基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9)，

其特征在于，金属的所述底板(7)经由至少一个布置在所述凹形弯曲部(9)的中央区域中的连接元件(10)与冷却体连接，并且所述底板压靠所述冷却体(11)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述接触层(3)与金属的所述底板(7)的所述连接和所述电子部件(4)与所述结构化的金属层(2)的接触同时进行。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，经由设计为焊接层或者烧结层的所述中间层(6)实现所述接触层(3)与金属的所述底板(7)的所述连接。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述中间层(6)具有小于100μm的厚度(d3)。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述中间层(6)具有最大为50μm的厚度(d3)。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述中间层(6)具有最大为20μm的厚度。

7.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述连接元件(10)被引导穿过所述冷却体(11)中的空隙(12)并且固定在所述底板(7)中。

8.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，与所述连接元件(10)配合工作的保持元件(13)嵌入所述底板(7)中，所述保持元件由比所述底板(7)更硬的材料制成。

9.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述连接元件(10)的区域中，凹槽(14、15)在所述底板(7)和/或所述冷却体(11)的彼此相对的面上置入所述底板和/或所述冷却体中。

10.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述底板(7)与所述冷却体(11)之间引入不含固体的油或气。

11.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述底板(7)的厚度(d4)和所述基底(1)的厚度(d1)彼此匹配，以使所述底板的厚度(d4)至少是所述基底(1)的厚度(d1)的五倍。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述底板(7)的厚度(d4)和所述基底(1)的厚度(d1)彼此匹配，以使所述底板的厚度(d4)至少是所述基底(1)的厚度(d1)的十倍。