[发明专利]清洁液组合物在审
申请号: | 201880020708.X | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN110462795A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 谷口优美子;高中亚铃治;大和田拓央 | 申请(专利权)人: | 关东化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C11D1/22;C11D3/04;C11D3/20;C11D17/08 |
代理公司: | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马莉华;徐迅<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁液组合物 基板 清洁半导体 玻璃基板 氢离子 化学机械抛光设备 阴离子界面活性剂 氟原子 还原剂 清洁室 无机酸 擦洗 浆料 磨粒 去除 附带 | ||
1.一种清洁液组合物,用于清洁半导体基板或玻璃基板界面,其特征在于,包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂,并且氢离子浓度(pH)小于7。
2.根据权利要求1所述的清洁液组合物,其特征在于,结构内含有氟原子的无机酸为氢氟酸、六氟硅酸或四氟硼酸、或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的清洁液组合物,其特征在于,含有氟原子的无机酸的盐为铵盐、胺盐或季铵盐、或它们的组合。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洁液组合物,其特征在于,还原剂选自由具有两种以上的羟基的五元环或六元环化合物组成的组。
5.根据权利要求4所述的清洁液组合物,其特征在于,具有两种以上的羟基的五元环或六元环化合物为抗坏血酸、邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚、连苯三酚或甲基邻苯二酚。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洁液组合物,其特征在于,阴离子界面活性剂为萘磺酸与甲醛的缩合物或其盐。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的清洁液组合物,其特征在于,当使用将铈化合物用作磨粒的浆料进行半导体基板或玻璃基板界面的化学机械抛光时,清洁残留在上述半导体基板或玻璃基板界面上的铈化合物。
8.一种原液组合物,上述原液组合物为根据权利要求1至7中任一项所述的清洁液组合物用原液组合物,其特征在于,通过稀释10倍~1000倍来获得上述清洁液组合物。
9.一种电子设备的制造方法,其特征在于,包括使用将铈化合物用作磨粒的浆料进行半导体基板或玻璃基板界面的化学机械抛光,接下来使用根据权利要求1至7中任一项所述的清洁液组合物来清洁残留在上述半导体基板或玻璃基板界面上的铈化合物的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造