[发明专利]钛层或含钛层的蚀刻液组合物及蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，上述蚀刻液组合物用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，其特征在于，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含含有磷原子的含氧酸和/或其离子。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含氨基羧酸和/或羧酸。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含铜防腐蚀剂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，铵离子的浓度为0.01～1.00mol/L。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，含有铵离子的化合物为选自由硫酸铵、磷酸铵、乙酸铵、硝酸铵、氯化铵、琥珀酸铵以及氨组成的组中的一种或两种以上的化合物。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，含有铵离子的化合物为选自由硫酸铵、磷酸铵、乙酸铵、硝酸铵、氯化铵及琥珀酸铵组成的组中的一种或两种以上的化合物。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，碱性化合物选自由无机碱化合物、季胺氢氧化物及胺组成的组。

9.根据权利要求2至8中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，含有磷原子的含氧酸或其离子的浓度为0.0001～1.0mol/L。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，含有磷原子的含氧酸或其离子为选自磷酸、膦酸、多齿膦酸、次膦酸、亚磷酸及其衍生物一种或两种以上的化合物或其游离离子。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，包含0.1～40质量百分比的含有铵离子的化合物、5～30质量百分比的过氧化氢及0.1～50质量百分比的碱性化合物。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，氧化物半导体选自由铟、镓、锌为主要成分的金属氧化物、以铟、锌为主要成分的金属氧化物以及以镓、锌为主要成分的金属氧化物组成的组。

13.一种钛层或含钛层的蚀刻方法，其特征在于，包括使用根据权利要求1～12中任一项所述的蚀刻液组合物来蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层的工序。

14.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括使用根据权利要求1～12中任一项所述的蚀刻液组合物来蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层的工序。