[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，其是为了制作适应波长193nm的曝光光的光掩模所使用的光掩模坯料，其特征在于，

所述光掩模坯料包括：

透光性基板；

形成在该透光性基板上且带来相移效应的相移膜；和

形成在所述相移膜上的遮光膜，

所述相移膜是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜而构成的，

所述相移膜对所述曝光光的透光率为30％以上，

所述第1相移膜的折射率n₁为2.5以上2.75以下，所述第2相移膜的折射率n₂为1.55以上2.20以下，

所述第1相移膜的衰减系数k₁为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜的衰减系数k₂大于0且为0.1以下，

所述相移膜的总膜厚大于70nm且为114nm以下。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述相移膜是在形成在所述透光性基板上的所述第1相移膜上层叠所述第2相移膜而成的。

3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述相移膜的所述第1相移膜的膜厚D₁和所述第2相移膜的膜厚D₂存在下列关系：

D₁(nm)-0.5·D₂(nm)+45nm且

D₁(nm)-0.5·D₂(nm)+75nm。

4.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述遮光膜在氟系干式蚀刻中实质上不被蚀刻，而在包含氧的氯系干式蚀刻中能够进行蚀刻，所述遮光膜的铬含量为20原子％以上。

5.一种光掩模，其是适应波长193nm的曝光光的光掩模，其特征在于，

所述光掩模具备：透光性基板和电路图案，该电路图案为在层叠在该透光性基板上的相移膜中所形成的图案，

所述相移膜是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜而构成的，

所述相移膜对所述曝光光的透光率为30％以上，

所述第1相移膜的折射率n₁为2.5以上2.75以下，所述第2相移膜的折射率n₂为1.55以上2.20以下，

所述第1相移膜的衰减系数k₁为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜的衰减系数k₂大于0且为0.1以下，

所述相移膜的总膜厚大于70nm且为114nm以下。

6.根据权利要求5所述的光掩模，其中所述相移膜是通过在所述透光性基板上形成所述第1相移膜、并且进一步在所述第1相移膜上层叠所述第2相移膜而成的。

7.根据权利要求5所述的光掩模，其中所述相移膜的所述第1相移膜的膜厚D₁和所述第2相移膜的膜厚D₂存在下列关系：

D₁(nm)-0.5·D₂(nm)+45nm且

D₁(nm)-0.5·D₂(nm)+75nm。

8.根据权利要求5所述的光掩模，其中所述光掩模中，在位于包含所述电路图案的有效区域的外周部的所述相移膜上层叠有遮光膜，

所述遮光膜在氟系干式蚀刻中实质上不被蚀刻，而在包含氧的氯系干式蚀刻中能够进行蚀刻，所述遮光膜的铬含量为20原子％以上。

9.根据权利要求8所述的光掩模，其中将设置在所述外周部的所述遮光膜和所述相移膜合并后的层叠膜对所述曝光光的透光率为0.1％以下。

10.一种光掩模的制造方法，其使用了权利要求1至4中任一项所述的光掩模坯料，其特征在于，具有：

对所述遮光膜进行使用包含氧的氯系气体的干式蚀刻，从而在所述遮光膜中形成图案的步骤；

将形成在所述遮光膜中的图案作为掩模，对所述相移膜进行使用氟系气体的干式蚀刻，从而在所述相移膜中形成电路图案和外周部图案的步骤，所述外周部图案形成包含该电路图案的区域的外周部；

在所述外周部图案上形成抗蚀剂图案，将所述抗蚀剂图案作为掩模，进行使用包含氧的氯系气体的干式蚀刻，从而除去所述遮光膜的一部分的步骤；以及

除去所述抗蚀剂图案的步骤。