[发明专利]压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法在审
| 申请号： | 201880021257.1 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN110462103A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 曽根昌弥;松永裕嗣;玉井聪 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压延铜箔 硫酸 表面处理液 过氧化氢 蚀刻 表面平滑化 表面溶解 环形山状 苯基脲 摩尔比 优选 制造 | ||
1.一种压延铜箔的制造方法，其包括：使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。
2.根据权利要求1所述的压延铜箔的制造方法，其中，35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率(E/R)处于0.4～4.0μm/分钟的范围内：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。
3.根据权利要求1或2所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
4.根据权利要求1或2所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，所述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。
7.一种压延铜箔的表面处理方法，其包括：使用含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的压延铜箔用表面处理液，将压延铜箔表面溶解。
8.根据权利要求7所述的压延铜箔的表面处理方法，其包括：以35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率0.4～4.0μm/分钟的速度溶解压延铜箔表面：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。
9.根据权利要求7或8所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱瓦斯化学株式会社，未经三菱瓦斯化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880021257.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
