[发明专利]用于多维存储器的选择性错误率信息有效

专利信息
申请号: 201880021286.8 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN110462592B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: J·M·埃诺;S·E·布拉德绍 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F11/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 多维 存储器 选择性 错误率 信息
【说明书】:

一种存储器装置,其可包含三维存储器实体,所述三维存储器实体各自包含多个二维存储器实体。控制器可按第一分辨率从所述存储器读取数据且按包含二维存储器实体的一部分的第二分辨率从所述存储器收集错误率信息。所述控制器可基于所述错误率信息确定一定数量的二维存储器实体,所述数量的二维存储器实体具有大于所述二维存储器实体的剩余部分的错误率。所述控制器可基于排除与所述数量的二维存储器实体相关联的所述二维存储器实体的部分的错误率信息的所述错误率信息确定一定数量的三维存储器实体的部分,所述数量的三维存储器实体的部分具有大于三维存储器实体的所述部分的剩余部分的错误率。所述控制器可剔除所述数量的所述二维存储器实体及所述数量的所述三维存储器实体。

技术领域

本公开大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及用于多维存储器的选择性错误率信息。

背景技术

存储器装置通常作为计算系统或其它电子装置中的内部半导体集成电路提供。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器会需要电力来维持其数据(例如,用户数据、错误数据等)且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及混合存储器立方体(HMC)等等。非易失性存储器可通过在未供电时留存存储数据而提供永久性数据,且可包含非易失性随机存取存储器(NVRAM)、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、3D相变材料及开关(PCMS)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM),例如自旋力矩转移随机存取存储器(STT RAM)等。

存储器装置可经组合在一起以形成存储器系统的存放磁盘区,例如固态驱动(SSD)。固态驱动除了包含各种其它类型的非易失性存储器及易失性存储器之外还可包含非易失性存储器(例如,3D PCMS、NAND快闪存储器及/或NOR快闪存储器)及/或可包含易失性存储器(例如,DRAM及/或SRAM)。

SSD可用于替换硬盘驱动作为计算机的主存放磁盘区,这是因为固态驱动可在性能、大小、重量、强度、操作温度范围及功率消耗方面优于硬盘驱动。例如,与磁盘驱动相比时,SSD可归因于其缺乏移动部件(此可避免与磁盘驱动相关联的搜索时间、延时及其它机电延迟)而具有优异性能。SSD制造商可使用非易失性3D PCMS存储器来产生可不使用内部电池供应器的SSD,因此允许驱动更为通用且紧凑。

附图说明

图1是根据本公开的呈包含至少一个存储器系统的计算系统形式的设备的框图。

图2是根据本公开的呈存储器装置形式的设备的框图。

图3是根据本公开的呈存储器装置形式的设备的框图。

图4是根据本公开的存储器分割区的框图。

图5是根据本公开的呈存储器裸片形式的存储器设备上的分割区的框图。

图6是根据本公开的切片的框图。

图7是根据本公开的呈存储器装置形式的设备的框图。

具体实施方式

本公开涉及用于多维存储器的选择性错误率信息。参考图2更详细描述存储器的维度。如本文中使用,多维存储器意味着大于两个物理及逻辑维度的物理及逻辑维度两者。

在给定复合群组的不同视图的单独选择准则的情况下,识别所述群组中的特定项目可为挑战性的。此挑战可相对于多维存储器的错误管理而显现。特定来说,其可在用于识别媒体的易出错部分以从可用于存储数据的群候选区剔除的机构中显现。术语“剔除”及“排除”在本文中大体可互换使用。本公开可通过以有效方式应用分层过滤而解决此挑战。效率来源于交叉的过滤域可共享累加器且因此过滤域无需独立列表的事实。此外,过滤给定域取决于先前过滤操作的完全显现。

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