[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有第1导电型的漂移区；

晶体管部，其形成于所述半导体基板，且具有第2导电型的集电区；

二极管部，其形成于所述半导体基板，且具有第1导电型的阴极区；以及

边界部，其形成于所述半导体基板，在所述半导体基板的上表面配置于所述晶体管部与所述二极管部之间，且具有所述集电区，

所述晶体管部和所述边界部均具有：

沟槽部，其在所述半导体基板的上表面包含1个以上的栅极沟槽部，该1个以上的栅极沟槽部具有长度方向，并且从所述半导体基板的上表面设置到所述半导体基板的内部；以及

台面部，其被夹在2个所述沟槽部之间，

在所述晶体管部的所述台面部和所述边界部的所述台面部设置有掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的发射区以及设置在所述漂移区与所述半导体基板的上表面之间的第2导电型的基区，

所述基区在所述半导体基板的上表面设置有所述发射区的所述台面部中具有所述基区与所述栅极沟槽部接触的部分即沟道部，

将所述沟道部投影于所述边界部的所述台面部的上表面而得的区域所述台面部的上表面中的密度比向所述晶体管部的所述台面部的上表面投影所述沟道部而得的区域的所述密度小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述晶体管部的所述台面部的上表面和所述边界部的所述台面部的上表面，沿着所述沟槽部的长度方向交替地配置有所述发射区和第2导电型的区域，

所述边界部的所述第2导电型的区域的在所述沟槽部的长度方向上的长度比所述晶体管部的所述第2导电型的区域的在所述沟槽部的长度方向上的长度长。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述晶体管部和所述边界部，一个所述发射区的在所述沟槽部的长度方向上的长度相同。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述边界部的一个所述发射区的在所述沟槽部的长度方向上的长度比所述晶体管部的一个所述发射区的在所述沟槽部的长度方向上的长度短。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的上表面，所述边界部中的所述发射区配置在与所述晶体管部中的所述发射区对置的位置。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的上表面，所述边界部中的所述发射区配置在与所述晶体管部中的所述发射区对置的位置。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的上表面，所述边界部中的所述发射区配置在与所述晶体管部中的所述发射区对置的位置。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的上表面，所述边界部中的所述发射区配置在与所述晶体管部中的所述第2导电型的区域对置的位置。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的上表面，所述边界部中的所述发射区配置在与所述晶体管部中的所述第2导电型的区域对置的位置。

10.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的上表面，所述边界部中的所述发射区配置在与所述晶体管部中的所述第2导电型的区域对置的位置。

11.根据权利要求2～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述边界部的所述台面部中的所述发射区中的在所述沟槽部的长度方向上最靠端部配置的所述发射区与所述晶体管部的所述台面部中的所述发射区中的在所述沟槽部的长度方向上配置于最靠端部的所述发射区相比，在所述长度方向上配置在更靠近所述台面部的长度方向上的中央的位置。