[发明专利]全息图记录介质、光学元件以及全息记录方法有效
| 申请号： | 201880021506.7 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110462734B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张锡勋;李玹燮;金宪;权洗铉;张影来 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | G11B7/24044 | 分类号： | G11B7/24044;G11B7/08;G11B7/245;G03F7/00;C08L51/08;C08L75/04;C08L83/12 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;张云志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全息图 记录 介质 光学 元件 以及 全息 方法 | ||
1.一种全息图记录介质，其具有-15℃至-50℃主弛豫温度Tr，其中，所述主弛豫温度是在动态力学分析中在-80℃至30℃的范围内相位角相对于温度的变化率最大的点，
其中，所述全息图记录介质的相位角是采用动态力学分析在0.1％的应变、1Hz的频率和5℃/min的升温速率的条件下在-80℃至30℃的范围内以膜状态测得，以及
通过在发生连续变形的状态下改变样品周围的腔室温度的同时测量损耗模量和储能模量，来计算相位角相对于温度的变化率。
2.根据权利要求1所述的全息图记录介质，
其中，所述全息图记录介质包含：聚合物基质或其前体；和光反应性单体。
3.根据权利要求2所述的全息图记录介质，
其中，所述全息图记录介质还包含光引发剂。
4.根据权利要求2所述的全息图记录介质，
其中，所述全息图记录介质还包含选自磷酸酯类化合物和低折射性氟类化合物中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的全息图记录介质，
其中，所述低折射性氟类化合物包含选自醚基、酯基和酰胺基中的至少一个官能团，和至少两个二氟亚甲基。
6.根据权利要求4所述的全息图记录介质，
其中，所述低折射性氟类化合物的折射率小于1.45。
7.根据权利要求2所述的全息图记录介质，
其中，所述聚合物基质的折射率为1.45至1.70。
8.根据权利要求2所述的全息图记录介质，
其中，所述聚合物基质或其前体包括：1)具有至少一个异氰酸酯基的化合物与多元醇的反应产物；或2)在支链中具有硅烷类官能团的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂。
9.根据权利要求8所述的全息图记录介质，
其中，所述硅烷交联剂包含重均分子量为100至2000的线性聚醚主链和与所述主链结合的作为末端基团或支链的硅烷类官能团。
10.根据权利要求2所述的全息图记录介质，
其中，所述光反应性单体包括折射率为1.5以上的多官能(甲基)丙烯酸酯单体，或折射率为1.5以上的单官能(甲基)丙烯酸酯单体。
11.一种光学元件，该光学元件包括权利要求1所述的全息图记录介质。
12.一种全息记录方法，包括使用电磁辐射使权利要求1所述的全息图记录介质中含有的光反应性单体选择性地聚合。
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