[发明专利]光检测器以及测距装置有效
申请号: | 201880021577.7 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN110462426B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 东谦太;尾崎宪幸;柏田真司;木村祯祐;高井勇;松原弘幸;太田充彦;平塚诚良 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | G01S7/4861 | 分类号: | G01S7/4861;G01S17/10;H01L31/10;H01L31/107 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 以及 测距 装置 | ||
1.一种光检测器,其中,
具备具有构成为对光子的射入进行响应的SPAD的多个检测部,
上述多个检测部分别具备淬灭电阻,上述淬灭电阻由于在上述SPAD对上述光子的射入进行响应时流过的电流而产生电压下降,使上述SPAD的响应停止,之后将电荷再充电至该SPAD使其复原而能够对上述光子的射入进行响应,
上述多个检测部中的至少一个检测部通过构成为在上述SPAD对光子的射入进行响应之后,经由上述淬灭电阻在上述SPAD流过的再充电电流与其它检测部不同,从而将通过上述再充电到下次能够进行响应为止的复原时间设定为与上述多个检测部中的其它的至少一个检测部的上述SPAD的复原时间不同。
2.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
上述多个检测部分别具备MOSFET作为上述淬灭电阻,
上述至少一个检测部构成为通过改变上述MOSFET的大小从而上述再充电电流与其它检测部不同。
3.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
上述多个检测部分别具备MOSFET作为上述淬灭电阻,
上述至少一个检测部构成为通过改变上述MOSFET的栅极电压从而上述再充电电流与其它检测部不同。
4.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
上述多个检测部分别具备由电阻器或布线电阻构成的电阻作为上述淬灭电阻,
上述至少一个检测部构成为利用上述电阻的电阻值,而上述再充电电流与其它检测部不同。
5.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
上述至少一个检测部构成为通过改变与上述淬灭电阻并联连接的寄生电容或者电容器的电容从而上述再充电电流与其它检测部不同。
6.根据权利要求1所述的光检测器,其中,
上述多个检测部中的至少一个检测部和上述其它检测部分别被分为不同的组,各组的检测部分散地配置为不会在接受光的受光面上按照每一组偏向。
7.一种光检测器,其中,
具备具有对光子的射入进行响应的SPAD的多个检测部,
上述多个检测部分别具备MOSFET作为淬灭电阻,上述淬灭电阻由于在上述SPAD对上述光子的射入进行响应时流过的电流而产生电压下降,使上述SPAD的响应停止,之后将电荷再充电至该SPAD使其复原而能够对上述光子的射入进行响应,
并且,上述多个检测部分别具备脉冲输出部,对来自上述SPAD的输出与阈值电压进行大小判定并输出数字脉冲,作为上述光子的检测信号,
上述多个检测部中的至少一个检测部构成为通过使从上述脉冲输出部输出的数字脉冲延迟并输入至上述MOSFET,从而在上述SPAD对光子的射入进行了响应之后,到上述MOSFET开始上述再充电为止的时间与其它检测部不同。
8.一种光检测器,其中,
具备具有对光子的射入进行响应的SPAD的多个检测部,
上述多个检测部分别具备:
淬灭电阻,在上述SPAD对上述光子的射入进行响应时流过的电流而产生电压下降,使上述SPAD的响应停止,之后将电荷再充电至该SPAD使其复原而能够对上述光子的射入进行响应;以及
脉冲输出部,构成为对来自上述SPAD的输出与阈值电压进行大小判定并输出数字脉冲,作为上述光子的检测信号,
上述多个检测部中的至少一个检测部构成为上述脉冲输出部的阈值电压与上述其它检测部不同。
9.一种光检测器,是具备具有对光子的射入进行响应的SPAD的多个检测部的光检测器,其中,
上述多个检测部分别具备MOSFET作为淬灭电阻,上述淬灭电阻由于在上述SPAD对上述光子的射入进行响应时流过的电流而产生电压下降,使上述SPAD的响应停止,之后将电荷再充电至该SPAD使其复原而能够对上述光子的射入进行响应,
上述多个检测部中的至少一个检测部构成为在该光检测器的驱动开始时使MOSFET导通的定时与其它检测部不同。
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