[发明专利]研磨液、研磨液套剂和研磨方法有效
| 申请号： | 201880021594.0 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110462796B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 岩野友洋;松本贵彬;长谷川智康 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本东京都港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 液套剂 方法 | ||
1.一种研磨液，其含有磨粒、羟基酸、多元醇、阳离子性化合物和液体介质，
所述磨粒的ζ电位为正，
所述阳离子性化合物的重均分子量小于1000。
2.根据权利要求1所述的研磨液，其中，所述多元醇包括聚醚多元醇。
3.根据权利要求1或2所述的研磨液，其中，所述多元醇包括不具有芳香族基的多元醇。
4.根据权利要求1～3所述的研磨液，其中，所述羟基酸包括饱和单羧酸。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨液，其中，所述羟基酸的羟值为1500以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨液，其中，所述磨粒包括选自二氧化铈、二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钇和4价金属元素的氢氧化物中的至少一种。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的研磨液，其中，所述多元醇的含量为0.05～5.0质量％。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的研磨液，其中，所述羟基酸的含量为0.01～1.0质量％。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的研磨液，其中，所述阳离子性化合物的含量为0.001～0.1质量％。
10.权利要求1～9中任一项所述的研磨液，其用于研磨含氧化硅的被研磨面。
11.一种研磨液套剂，其中，权利要求1～10中任一项所述的研磨液的构成成分分开为第1液体和第2液体保存，所述第1液体包含所述磨粒和液体介质，所述第2液包含所述羟基酸、所述多元醇、所述阳离子性化合物和液体介质。
12.一种研磨方法，其具备使用权利要求1～10中任一项所述的研磨液研磨被研磨面的工序。
13.一种研磨方法，其具备使用混合权利要求11所述的研磨液套剂中的所述第1液体和所述第2液体而得的研磨液研磨被研磨面的工序。
14.一种研磨方法，其为具有绝缘材料和氮化硅的基体的研磨方法，
其中，所述研磨方法具备使用权利要求1～10中任一项所述的研磨液相对于所述氮化硅选择性研磨所述绝缘材料的工序。
15.一种研磨方法，其为具有绝缘材料和氮化硅的基体的研磨方法，
其中，所述研磨方法具备使用混合权利要求11所述的研磨液套剂中的所述第1液体和所述第2液体而得的研磨液相对于所述氮化硅选择性研磨所述绝缘材料的工序。
16.一种研磨方法，其为具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，
其中，所述研磨方法具备使用权利要求1～10中任一项所述的研磨液相对于所述多晶硅选择性研磨所述绝缘材料的工序。
17.一种研磨方法，其为具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，
其中，所述研磨方法具备使用混合权利要求11所述的研磨液套剂中的所述第1液体和所述第2液体而得的研磨液相对于所述多晶硅选择性研磨所述绝缘材料的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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