[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201880021738.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110521003B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 上田辉幸;北川英树;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;菊池哲郎;伊藤俊克;原健吾 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/28;H10K59/00;H01L29/423;H01L29/49;H10K50/00 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵基板的制造方法，是具备氧化物半导体TFT的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包含：
在基板上形成氧化物半导体层的工序；
以覆盖上述氧化物半导体层的方式形成栅极绝缘层的工序；
在上述栅极绝缘层上以与上述栅极绝缘层的上表面接触的方式形成包含第1金属元素M的合金膜，接着，在上述合金膜上形成由上述第1金属元素M形成的金属膜，从而形成包含上述合金膜和上述金属膜的栅极用导电膜的工序；
在上述栅极用导电膜的一部分上形成抗蚀剂层，将上述抗蚀剂层作为掩模进行上述栅极用导电膜的图案化，从而形成上部栅极电极的工序；
将上述抗蚀剂层和上述上部栅极电极作为掩模进行上述栅极绝缘层的蚀刻，从而使上述氧化物半导体层的一部分露出的工序；
使用抗蚀剂剥离液将上述抗蚀剂层从上述上部栅极电极剥离，并且使上述抗蚀剂剥离液与上述氧化物半导体层的露出的部分接触，从而使溶解于上述抗蚀剂剥离液的上述第1金属元素M混入到上述氧化物半导体层的工序；以及
形成覆盖上述氧化物半导体层、上述栅极绝缘层以及上述上部栅极电极的层间绝缘层的工序。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板的制造方法，
上述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板的制造方法，
上述氧化物半导体层包含结晶质部分。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板的制造方法，
上述氧化物半导体层具有层叠结构。
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