[发明专利]外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片有效
| 申请号： | 201880021911.9 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110603350B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 野中直哉;川岛正;沟上宪一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L21/20;H01L21/205;C23C16/02;C23C16/24;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片在将磷作为掺杂剂的电阻率小于1.0mΩ·cm的硅晶片上设置有外延膜，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，具备：
晶片准备工序，准备将(100)面倾斜的面设为主表面且与所述(100)面垂直的[100]轴相对于与所述主表面正交的轴仅倾斜0°5′以上且0°25′以下的所述硅晶片；
氩退火工序，对所述硅晶片，在氩气气氛下以1200℃以上且1220℃以下的温度进行30分钟以上的热处理；
预烘工序，对所述氩退火工序之后的硅晶片的表面进行蚀刻；及
外延膜生长工序，在所述预烘工序之后的硅晶片的表面以1100℃以上且1165℃以下的生长温度使所述外延膜生长。
2.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，
所述预烘工序以150nm以上且600nm以下的去除量来进行蚀刻。
3.一种外延硅晶片，其在将磷作为掺杂剂的电阻率小于1.0mΩ·cm的硅晶片上设置有外延膜，所述外延硅晶片的特征在于，
所述硅晶片将(100)面倾斜的面设为主表面且与所述(100)面垂直的[100]轴相对于与所述主表面正交的轴仅倾斜0°5′以上且0°25′以下，
具有晶体取向性且整体位于所述外延膜内部的位错线的密度为10个/cm2以下。
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