[发明专利]磁传感器

说明书

本发明提供能够抑制偏置磁场的影响的磁传感器。磁传感器包括：磁检测部，其包括施加检测对象的第1磁场的第1至第4磁阻效应元件(10，20，30，40)；第1运算放大器(50)，其被输入上述磁检测部的输出电压；第1磁场产生导体(70)，其通过流动第1运算放大器(50)输出的第1负反馈电流，向上述磁检测部施加抵消上述磁检测部检测的上述第1磁场的第2磁场；偏置磁场检测单元，其检测施加于上述磁检测部的偏置磁场，输出与上述偏置磁场的大小相应的第2负反馈电流；和第2磁场产生导体(75)，其通过流动上述第2负反馈电流，向上述磁检测部施加抵消上述磁检测部检测的上述偏置磁场的修正磁场。

技术领域

本发明涉及在磁场产生导体流动与施加于磁检测部的检测对象磁场相应的负反馈电流的结构的磁传感器。

背景技术

下述专利文献1公开有能够检测微小的磁场的磁场检测传感器。该磁场检测传感器包括构成桥接电路的4个磁阻效应元件和磁性体。该4个磁阻效应元件的固定磁化方向彼此相同。磁性体将从桥接电路看垂直方向的检测对象磁场集磁，使集磁后的该检测磁场向与构成该桥接电路的4个磁阻效应元件具有的固定磁化方向大致平行的方向变化。来自桥接电路的差动输出被输入差动运算电路，差动运算电路向磁场产生导体流动反馈电流。流动反馈电流的磁场产生导体对4个磁阻效应元件产生与检测对象磁场的方向相反方向的磁场。通过测量反馈电流，可测量检测对象磁场。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-219061号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在专利文献1的磁传感器中，即使被施加与4个磁阻效应元件相同方向或同相的偏置磁场(干扰磁场等非检测对象磁场)，4个磁阻效应元件的磁阻变化也相同，作为桥接电路并不检测偏置磁场。但是，偏置磁场使磁阻效应元件的动作点变化，影响到磁传感器的输出。即，磁阻效应元件在固定层磁化方向的磁场强度大到一定值以上时相对于磁场变化的磁阻值变化(灵敏度)下降，因此存在当偏置磁场变大时，作为磁传感器的灵敏度下降，不能对检测对象磁场进行设想输出的问题(还参照图12)。

本发明是鉴于这样的状况而完成的，其目的在于，提供能够抑制偏置磁场的影响的磁传感器。

用于解决课题的方法

本发明的一个方式为一种磁传感器。该磁传感器包括：

包含第1和第2磁检测元件的磁检测部，其中，作为检测对象的第1磁场能够施加到上述第1和第2磁检测元件；

第1差动放大器，上述磁检测部的输出电压输入到上述第1差动放大器；

第1磁场产生导体，通过在其中流动上述第1差动放大器输出的第1负反馈电流，对上述第1和第2磁检测元件施加抵消上述第1和第2磁检测元件要检测的上述第1磁场的第2磁场；

偏置磁场检测单元，其检测施加于上述第1和第2磁检测元件的偏置磁场的规定方向成分，输出与上述规定方向成分的大小相应的第2负反馈电流；和

第2磁场产生导体，通过在其中流动上述第2负反馈电流，对上述第1和第2磁检测元件施加修正磁场，

上述第1和第2磁检测元件的位置的上述偏置磁场的规定方向成分与上述修正磁场的规定方向成分的合计值大致一定。

上述第1和第2磁检测元件的位置的上述偏置磁场的规定方向成分与上述修正磁场的规定方向成分的合计值大致为0。

本发明又一方式为一种磁传感器。该磁传感器包括：

包含第1和第2磁检测元件的磁检测部，其中，作为检测对象的第1磁场能够施加到上述第1和第2磁检测元件；