[发明专利]二次电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201880022003.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110521044A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 万久俊彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/04 | 分类号： | H01M10/04;H01M2/16;H01M4/02;H01M4/13;H01M10/0585 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨海荣;曲盛<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正极 负极 绝缘层 活性材料层 二次电池 平均粒径 集电器 孔隙率 粒子 非导电性粒子 多孔绝缘层 高绝缘性 内部短路 维持电极 正极配置 有效地 制造 | ||
1.一种二次电池，包含：
正极；和
面对所述正极配置的负极，
其中所述正极和所述负极各自包含集电器和在所述集电器的至少一个表面上形成的活性材料层，并且所述正极和所述负极中的至少一者还包含在所述活性材料层的表面上形成的绝缘层，并且
所述绝缘层是含有多个非导电性粒子的多孔绝缘层，并且当所述粒子的平均粒径由μm表示时，由所述粒子的平均粒径×孔隙率表示的孔隙率指数为0.4以下。
2.根据权利要求1所述的二次电池，其中所述非导电性粒子的平均粒径为0.4μm～5μm。
3.根据权利要求1或2所述的二次电池，其中还包含配置在所述正极与所述负极之间的隔膜，并且
所述隔膜在200℃下的热收缩率小于5％，并且葛尔莱值为10秒/100ml以下。
4.一种二次电池的制造方法，所述方法包括：
准备正极和负极，和
将所述正极和所述负极配置成彼此面对，
其中所述正极和所述负极各自包含集电器和在所述集电器的至少一个表面上形成的活性材料层，并且所述正极和所述负极中的至少一者还包含在所述活性材料层的表面上形成的绝缘层，并且
所述绝缘层是含有多个非导电性粒子的多孔绝缘层，并且当所述粒子的平均粒径由μm表示时，由所述粒子的平均粒径×孔隙率表示的孔隙率指数为0.4以下。
5.根据权利要求4所述的二次电池的制造方法，其中所述非导电性粒子的平均粒径为0.4μm～5μm。
6.根据权利要求4或5所述的二次电池的制造方法，其中将所述正极和所述负极配置成彼此面对包括
在所述正极与所述负极之间配置在200℃下的热收缩率小于5％、并且葛尔莱值为10秒/100ml以下的隔膜。
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