[发明专利]半导体装置的制造方法及粘合片有效
| 申请号： | 201880022421.0 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110462816B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 阿久津高志;冈本直也;中山武人 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;C09J5/00;C09J7/20;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 粘合 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其是使用粘合片制造半导体装置的方法，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材，
所述基材在23℃下的储能模量E’(t)为1.0×106Pa以上，
该方法具有下述工序(1)～(4)，
工序(1)：将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层的粘合表面的工序；
工序(2)：将半导体芯片放置于在所述框构件的所述开口部露出的所述粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；
工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、所述框构件、以及所述粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；
工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，该方法还具有下述工序(5)，
工序(5)：在剥离了所述粘合片后的固化密封体上形成再布线层的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述膨胀性粒子是热膨胀性粒子，
所述工序(4)是通过对所述粘合片加热而使所述热膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为120～250℃。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，所述基材满足下述要件(1)～(2)，
要件(1)：所述基材在100℃下的储能模量E’(100)为2.0×105Pa以上；
要件(2)：所述基材在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下的储能模量E’(t)为1.0×107Pa以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的平均粒径为3～100μm。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述粘合剂层在23℃下的剪切模量G’(23)为1.0×104～1.0×108Pa。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在23℃下，所述基材的厚度与所述粘合剂层的厚度之比(基材/粘合剂层)为0.2以上。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在23℃下，所述基材的厚度为10～1000μm，所述粘合剂层的厚度为1～60μm。
10.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述基材表面的探针粘性值低于50mN/5mmφ。
11.一种粘合片，其是权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法所使用的粘合片，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。
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