[发明专利]包含具有光交联基的聚醚树脂的高低差基板被覆组合物

说明书

本发明的课题是提供对图案的填充性高，在基板上形成具有能够通过光固化而形成涂膜的平坦化性的被膜、且在光照射后耐热性高的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆组合物，其包含聚合物，上述聚合物包含式(1)所示的单元结构。〔在式(1)中，A¹、A²和A³各自独立地表示可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环或表示含有可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环的烃基，B¹、B²和B³各自独立地表示式(2)。(在式(2)中，R¹表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数1～10的亚烯基、碳原子数1～10的亚炔基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑O‑、‑C(O)‑NR^a‑、‑NR^b‑或由它们的组合构成的基团，R²表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基。〕

技术领域

涉及用于使具有高低差的基板通过光交联而形成平坦化膜的高低差基板被覆组合物、和使用了该高低差基板被覆组合物的被平坦化了的叠层基板的制造方法。

背景技术

近年来，半导体集成电路装置按微细的设计规则加工。为了通过光学光刻技术而形成更加微细的抗蚀剂图案，需要将曝光波长短波长化。

然而，随着曝光波长的短波长化而焦深降低，因此需要使在基板上形成的被膜的平坦化性提高。为了制造具有微细的设计规则的半导体装置，基板上的平坦化技术变得重要。

公开了通过光固化形成平坦化膜，例如在抗蚀剂下形成的抗蚀剂下层膜的方法。

公开了包含侧链具有环氧基、氧杂环丁烷基的聚合物和光阳离子聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物、或包含具有能够自由基聚合的烯属不饱和键的聚合物和光自由基聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献1)。

此外，公开了包含具有环氧基、乙烯基等能够阳离子聚合的反应性基的硅系化合物、和光阳离子聚合引发剂、光自由基聚合引发剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(参照专利文献2)。

此外，公开了使用含有侧链具有交联性官能团(例如羟基)的聚合物、交联剂和光产酸剂的抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法(参照专利文献3)。

此外，公开不是光交联系的抗蚀剂下层膜，但主链或侧链具有不饱和键的抗蚀剂下层膜(参照专利文献4、5)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2006/115044号小册子

专利文献2：国际公开第2007/066597号小册子

专利文献3：国际公开第2008/047638号小册子

专利文献4：国际公开第2009/008446号小册子

专利文献5：日本特表2004-533637号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于以往的光交联材料，对于包含具有羟基等热交联形成官能团的聚合物、交联剂和酸催化剂(产酸剂)的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在为了填充于在基板上形成的图案(例如，孔穴、沟槽结构)而进行加热时交联反应进行、发生粘度上升，对图案的填充性成为问题。而且发生由脱气引起的热收缩，因此平坦化性成为问题。

此外，对于包含具有环氧基、乙烯基等能够阳离子聚合的反应性基的聚合物和产酸剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行光照射和加热。此时仍然发生由脱气引起的热收缩，因此平坦化性成为问题。