[发明专利]摄像元件及摄像装置在审
申请号: | 201880022930.3 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN110476251A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 加藤周太郎;高木彻;濑尾崇志;安藤良次 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王娟娟<国际申请>=PCT/JP2018 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换部 微透镜 透射 方向反射 光电转换 光轴平行 摄像元件 电荷 反射部 | ||
摄像元件具备:微透镜;光电转换部,其对透射过所述微透镜的光进行光电转换而生成电荷;和反射部,其将透射过所述光电转换部的光的一部分向通过所述光电转换部并与所述微透镜的光轴平行的方向、且朝向所述光电转换部的方向反射。
技术领域
本发明涉及摄像元件及摄像装置。
背景技术
已知有在光电转换部之下设置反射部,通过该反射部使透射过光电转换部的光向光电转换部反射的摄像元件(参照专利文献1)。在以往的摄像元件中,会导致反射部反射的光入射到其他像素。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国特开2016-127043号公报
发明内容
根据本发明的第1方式,摄像元件具备:微透镜;光电转换部,其对透射过所述微透镜的光进行光电转换而生成电荷;和反射部,其将透射过所述光电转换部的光的一部分向通过所述光电转换部并与所述微透镜的光轴平行的方向、且向所述光电转换部的方向反射。
根据本发明的第2方式,摄像装置具备:后文所述的摄像元件;和控制部,其基于从对具有聚焦透镜的光学系统所形成的像进行拍摄的所述摄像元件的所述第1像素输出的信号和从所述第2像素输出的信号,控制所述聚焦透镜的位置,以使得所述光学系统所形成的像对焦于所述摄像元件。摄像元件是第1方式的摄像元件,具有第1像素和第2像素,所述第1像素和第2像素分别具有所述微透镜、所述光电转换部和所述反射部,所述第1像素和所述第2像素沿第1方向配置,所述第1像素的所述反射部的至少一部分设置在与所述微透镜的光轴交叉的面中的、与所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向侧的区域,所述第2像素的所述反射部的至少一部分设置在与所述微透镜的光轴交叉的面中的、与所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向的反方向侧的区域。
根据本发明的第3方式,摄像装置具备:后文所述的摄像元件;和控制部,其基于从对具有聚焦透镜的光学系统所形成的像进行拍摄的所述摄像元件的所述第1像素输出的信号、从所述第2像素输出的信号和从所述第3像素输出的信号,控制所述聚焦透镜的位置,以使得所述光学系统所形成的像对焦于所述摄像元件。摄像元件是第1方式的摄像元件,具有第1像素和第2像素,所述第1像素和第2像素分别具有所述微透镜、所述光电转换部和所述反射部,所述第1像素和所述第2像素沿第1方向配置,所述第1像素的所述反射部的至少一部分设置在与所述微透镜的光轴交叉的面中的、与所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向侧的区域,所述第2像素的所述反射部的至少一部分设置在与所述微透镜的光轴交叉的面中的、与所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向的反方向侧的区域,并且具有第3像素,所述第3像素具有所述微透镜和所述光电转换部,所述第1像素和所述第2像素具有第1滤光片,所述第1滤光片具有第1分光特性,所述第3像素具有第2滤光片,所述第2滤光片具有波长短的光的透射率比所述第1分光特性高的第2分光特性。
附图说明
图1是表示相机的主要部分构成的图。
图2是示例了聚焦区域的图。
图3是将摄像元件的像素的排列的一部分放大的图。
图4的(a)是将摄像像素的一例放大的剖视图,图4的(b)及图4的(c)是将焦点检测像素的一例放大的剖视图。
图5是说明入射到焦点检测像素的光束的图。
图6是将第1实施方式的焦点检测像素和摄像像素放大的剖视图。
图7的(a)及图7的(b)是将第2实施方式的焦点检测像素放大的剖视图。
图8的(a)及图8的(b)是将第3实施方式的焦点检测像素放大的剖视图。
图9的(a)及图9的(b)是将第4实施方式的焦点检测像素放大的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的