[发明专利]化合物、包含化合物的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法在审
申请号: | 201880022942.6 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN110476122A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 工藤宏人;佐藤隆;越后雅敏 | 申请(专利权)人: | 学校法人关西大学;三菱瓦斯化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C07H13/08;C08G8/20;G03F7/027;G03F7/038;G03F7/20 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇;李茂家<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丹宁 交联性反应基团 抗蚀剂组合物 树脂组成 自由结构 | ||
1.一种抗蚀剂组合物,其包含1种以上的丹宁化合物,所述丹宁化合物选自由结构中包含至少一个交联性反应基团的丹宁和其衍生物、以及将它们作为单体而得到的树脂组成的组。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物,其中,所述丹宁化合物包含选自由下述式(0)所示的化合物和将下述式(0)所示的化合物作为单体而得到的树脂组成的组中的1种以上,
式(0)中,A各自独立地表示氢原子、或下述式(A)所示的任意结构,其中,至少一个A表示下述式(A)所示的任意结构,
式(A)中,R各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳数1~20的直链状、碳数3~20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6~20的芳基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、卤素原子、或者交联性反应基团,其中,至少一个R表示交联性反应基团,*表示与式(0)的键合部。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物,其中,所述丹宁化合物包含选自由下述式(1-1)或下述式(1-2)所示的化合物、和具有源自下述式(1-1)和/或下述式(1-2)所示的化合物的结构的缩合物、以及将它们作为单体而得到的树脂组成的组中的1种以上,
式(1-1)和式(1-2)中,R各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳数1~20的直链状、碳数3~20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6~20的芳基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、卤素原子、或者交联性反应基团,其中,至少1个R表示交联性反应基团。
4.根据权利要求2所述的抗蚀剂组合物,其中,所述式(0)所示的化合物为下述式(1)所示的化合物,
式(1)中,R各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳数1~20的直链状、碳数3~20的支链状或碳数3~20的环状的烷基、取代或未取代的碳数6~20的芳基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、卤素原子、或者交联性反应基团,其中,至少一个R表示交联性反应基团。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂组合物,其中,还包含溶剂。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的抗蚀剂组合物,其中,还包含产酸剂。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的抗蚀剂组合物,其中,还包含酸扩散控制剂。
8.一种图案形成方法,其包括如下工序:
使用权利要求1~7中任一项所述的抗蚀剂组合物在基板上形成抗蚀膜的工序;
将所述抗蚀膜进行曝光的工序;和,
将所述抗蚀膜进行显影而形成图案的工序。
9.一种下述式(0)所示的化合物,
式(0)中,A各自独立地表示氢原子、或下述式(A)所示的任意结构,其中,至少一个A表示下述式(A)所示的任意结构,
式(A)中,R各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳数1~20的直链状、碳数3~20的支链状或碳数3~20的环状的烷基、取代或未取代的碳数6~20的芳基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、卤素原子、或者交联性反应基团,其中,至少一个R表示交联性反应基团,*表示与式(0)的键合部。
10.一种树脂,其是将权利要求9所述的化合物作为单体而得到的。
11.一种化合物,其为选自由下述式(1-1)或下述式(1-2)所示的化合物、和具有源自下述式(1-1)和/或下述式(1-2)所示的化合物的结构的缩合物组成的组中的1种,
式(1-1)和式(1-2)中,R各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳数1~20的直链状、碳数3~20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6~20的芳基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、卤素原子、或者交联性反应基团,其中,至少1个R表示交联性反应基团。
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