[发明专利]具有新型栅极电容拓扑结构的器件堆叠

权利要求书

1.一种单片集成电路装置，包括：

以共源共栅结构布置的多个晶体管的堆叠，其包括输入晶体管和包括输出晶体管的N个共源共栅晶体管，N是等于或者大于2的整数，所述堆叠被配置成在所述输出晶体管的漏极处提供的供应电压和所述输入晶体管的源极处提供的参考电压之间操作；以及

N个栅极电容器，所述N个栅极电容器中的每个栅极电容器在每个栅极电容器的第一端子处连接至所述N个共源共栅晶体管中的相应晶体管的栅极，其中，所述N个栅极电容器中的至少一个栅极电容器在所述至少一个栅极电容器的第二端子处连接至所述N个栅极电容器的耦接栅极电容器的第一端子，并且所述N个栅极电容器中的其余栅极电容器在所述其余栅极电容器中的每个栅极电容器的第二端子处连接至所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的单片集成电路装置，其中：

所述装置被配置成作为射频(RF)放大器工作，所述射频放大器在所述输入晶体管的栅极处向所述输出晶体管的栅极提供RF信号的放大版本，并且

所述N个栅极电容器中的每个栅极电容器被配置成基于所述相应晶体管的漏极处的RF电压和所述RF电压在所述堆叠上的期望分布来控制所述相应晶体管的栅极处的RF电压幅值。

3.根据权利要求2所述的单片集成电路装置，其中，所述至少一个栅极电容器的相应晶体管的栅极处的RF电压幅值还受所述耦接栅极电容器控制。

4.根据权利要求2所述的单片集成电路装置，其中：

所述耦接栅极电容器被配置成提供所述相应晶体管的栅极处的RF电压幅值的一部分，

所述至少一个栅极电容器被配置成提供所述RF电压幅值的其余部分，以及

所述RF电压幅值的其余部分与所述至少一个栅极电容器的电容值成反比。

5.根据权利要求4所述的单片集成电路装置，还包括连接在所述至少一个栅极电容器的相应晶体管的栅极与所述参考电压之间的另外的栅极电容器。

6.根据权利要求1所述的单片集成电路装置，其中，所述整数N等于或者大于5。

7.根据权利要求6所述的单片集成电路装置，其中，所述至少一个栅极电容器的相应晶体管是所述输出晶体管。

8.根据权利要求2所述的单片集成电路装置，其中，所述RF电压跨所述堆叠上的期望分布是所述RF电压在所述堆叠上的基本上相等的划分。

9.根据权利要求2所述的单片集成电路装置，其中，所述RF电压在所述堆叠上的期望分布是所述RF电压在所述堆叠上的不相等的划分。

10.根据权利要求1所述的单片集成电路装置，其中，所述多个晶体管是金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)或者互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)。

11.根据权利要求10所述的单片集成电路装置，其中，所述多个晶体管使用以下中的一种来制造：a)绝缘体上硅(SOI)技术，和b)蓝宝石上硅技术(SOS)。

12.根据权利要求2所述的单片集成电路装置，还包括N个电阻器，所述N个电阻器中的每个电阻器在每个电阻器的第一端子处连接至所述N个栅极电容器中的相应栅极电容器的第一端子，

其中，每个电阻器的阻抗被适配成将耦接至每个晶体管的第一端子的所述相应晶体管的栅极处的RF电压与每个电阻器的第二端子基本上隔离。

13.根据权利要求1所述的单片集成电路装置，其中，所述多个晶体管具有相同的尺寸。

14.根据权利要求1所述的单片集成电路装置，其中，所述多个晶体管中的至少一个晶体管的尺寸与所述多个晶体管中的其余晶体管的尺寸不同。