[发明专利]摄像元件及摄像装置在审
申请号: | 201880023116.3 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN110476252A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 濑尾崇志;高木彻;中山智史;安藤良次;加藤周太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王娟娟<国际申请>=PCT/JP2018 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换部 透射 反射 防反射部 光电转换 摄像元件 电荷 反射部 入射 | ||
1.一种摄像元件,其特征在于,具备:
光电转换部,其对入射的光进行光电转换而生成电荷;
防反射部,其防止透射过所述光电转换部的光的至少一部分光的反射;和
反射部,其将透射过所述光电转换部的光的一部分向所述光电转换部反射。
2.如权利要求1所述的摄像元件,其特征在于,
从光的入射侧起设置有所述光电转换部、所述防反射部和所述反射部。
3.如权利要求1或2所述的摄像元件,其特征在于,
所述防反射部防止由所述反射部反射的光向所述光电转换部入射时的反射。
4.如权利要求1~3中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述防反射部防止波长比透射过所述光电转换部的光短的光的反射。
5.如权利要求1~4中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
具备使特定波长区域的光透射的滤光片,
所述防反射部防止透射过所述滤光片和所述光电转换部的光中的、所述特定波长区域以外的光的反射。
6.如权利要求1~5中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
所述反射部将透射过所述光电转换部和所述防反射部的光的一部分向所述光电转换部反射。
7.如权利要求1~6中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
具备吸收部,所述吸收部吸收没有被所述反射部反射的光。
8.如权利要求1~6中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
具备吸收部,所述吸收部吸收透射过所述防反射部的光。
9.如权利要求1~8中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
具有第1像素和第2像素,所述第1像素和第2像素分别具有所述光电转换部和所述反射部,
所述第1像素和所述第2像素沿第1方向配置,
所述第1像素的所述反射部的至少一部分设置在与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向侧的区域,
所述第2像素的所述反射部的至少一部分设置在与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向的反方向侧的区域。
10.如权利要求9所述的摄像元件,其特征在于,
所述第1像素和所述第2像素分别具有所述防反射部,
所述第1像素的所述防反射部的至少一部分设置在与光入射的方向交差的面中的、与所述第1像素的所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向的反方向侧的区域,
所述第2像素的所述防反射部的至少一部分设置在与光入射的方向交差的面中的、与所述第2像素的所述光电转换部的中心相比靠所述第1方向侧的区域。
11.如权利要求9或10所述的摄像元件,其特征在于,
具备第3像素,所述第3像素具有所述光电转换部和所述防反射部。
12.如权利要求11所述的摄像元件,其特征在于,
所述第3像素具备将透射过所述光电转换部和所述防反射部的光向所述光电转换部反射的所述反射部。
13.如权利要求9~12中任一项所述的摄像元件,其特征在于,
具有第4像素,所述第4像素具有所述光电转换部,
所述第1像素和所述第2像素具有第1滤光片,所述第1滤光片具有第1分光特性,
所述第4像素具有第2滤光片,所述第2滤光片具有短波长的光的透射率比所述第1分光特性高的第2分光特性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的