[发明专利]用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品

说明书

本发明提供一种用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品。在使用中，识别从所制造组件检测的多个图案缺陷。另外，基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性。此外，从所述分析确定所述多个图案缺陷的第一组图案缺陷是系统图案缺陷，且从所述分析确定所述多个图案缺陷的第二组图案缺陷是随机图案缺陷。此外，针对所述经确定系统图案缺陷执行第一动作，且针对所述经确定随机图案缺陷执行第二动作。

相关申请案

本申请案主张于2017年4月12日申请的第62/484713号美国临时专利申请案的权益，所述案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及所制造组件上的图案缺陷，且更特定来说，涉及识别所制造组件上的图案缺陷。

背景技术

半导体制造的一个方面是识别掩模及晶片两者上的所有图案缺陷，以确保先进装置的足够良率。历史上，焦点曝光矩阵(FEM)及工艺窗验证(PWQ)已经成为用于在掩模已经产生及检验之后识别晶片上的缺陷的过程。然而，经识别的缺陷受限于系统图案缺陷。

系统图案缺陷通常发生于给定位置处，且主要归因于经设计图案的弱点或归因于光学接近校正(OPC)或次分辨率辅助特征(SRAF)实施方案的质量。因此，上文提及的过程合理地良好工作以识别图案缺陷，直到引入极紫外光刻(EUV)。

归因于EUV的低光子密度，散粒噪声效应导致能够可靠地印刷图案的不确定性，且因此甚至相同图案可能在相同曝光条件下在不同位置处失效。例如，即使使用相同光学接近校正(OPC)及次分辨率辅助特征(SRAF)，可在晶片上的一个位置处正确印刷相同图案，而另一位置可能失效。给定图案内的失效的位置可变化，这被称为随机效应，且识别这些随机缺陷对于用于识别系统缺陷的现有过程更具挑战性。虽然可能能够运用现有过程发现受关注图案，但存在归因于位置准确度的风险，且此随机性性质将导致此类问题的错误分类及取样不足。

因此，需要图案分组及取样的新过程，以及用于识别系统缺陷的新过程，特定来说，这是因为在用于集成电路(IC)制造的半导体晶片处理的良率管理中缺陷检验起关键作用。使用EUV制造的其它组件的情况同样如此。

因此需要解决与用于识别所制造组件上的图案缺陷的现有技术相关联的这些及/或其它问题。

发明内容

提供一种用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品。在使用中，识别从所制造组件检测的多个图案缺陷。另外，基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性。此外，从所述分析确定所述多个图案缺陷的第一组图案缺陷是系统图案缺陷，且从所述分析确定所述多个图案缺陷的第二组图案缺陷是随机图案缺陷。此外，针对经确定系统图案缺陷执行第一动作，且针对经确定随机图案缺陷执行第二动作。

附图说明

图1A展示说明非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图，其包含用于执行本文中所描述的计算机实施方法的一或多者的可执行于计算机系统上的程序指令。

图1B是说明经配置以检测制造装置上的缺陷的检验系统的一个实施例的侧视图的示意图。

图2说明根据实施例的具有变化位置处的缺陷的经捕获图案图像。

图3说明根据实施例的针对系统缺陷及随机缺陷的曝光的冲突的优化。

图4说明根据实施例的用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的方法。

图5说明根据实施例的检测来自所制造组件的缺陷的系统的缺陷位置准确度(DLA)，及相对于DLA的系统图案失效对随机图案失效的分布。

图6说明根据实施例的用于从半导体晶片识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的方法。

具体实施方式