[发明专利]利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法及蚀刻液组合物

权利要求书

1.一种利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法，其特征在于，包括：

通过溅射、化学气相沉积、无电解镀、涂布、或浸渍工序之一使用银或银合金或银化合物在基板材料上形成种子层的步骤(S11)；

利用光固化树脂在所述种子层上形成图案槽的步骤(S12)；

通过电解镀或无电解镀在所述图案槽上镀铜以实现电路的步骤(S13)；

去除所述光固化树脂而露出种子层的步骤(S14)；及

利用能够选择性地蚀刻银或银合金或银化合物的选择性蚀刻液去除所述露出的种子层的步骤(S15)，

所述选择性蚀刻液对于选择性蚀刻液总量100重量％，包括氧化剂1至30重量％、胺类化合物20至70重量％及添加剂0.1至10重量％，水为残余量，

所述胺类化合物为从由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、正丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)构成的组中选择的一种以上。

2.根据权利要求1所述的利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法，其特征在于，所述氧化剂为从由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾构成的组中选择的一种以上。

3.根据权利要求2所述的利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法，其特征在于，

所述氧化性气体为从由空气、氧及臭氧构成的组中选择的一种以上；

所述过氧化物为从由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoylperoxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)构成的组中选择的一种以上；

所述过氧酸为从由甲酸(Formic acid)、过氧乙酸(Peroxyacetic acid)、过氧苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过氧苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)构成的组中选择的一种以上。

4.根据权利要求1所述的利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法，其特征在于，所述添加剂为从由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂构成的组中选择的一种以上。