[发明专利]加热器单元有效

专利信息
申请号: 201880024404.0 申请日: 2018-04-03
公开(公告)号: CN110547042B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 花待年彦;关谷健二;高原刚;相川尚哉;木皿祐太;巽新 申请(专利权)人: 日本发条株式会社
主分类号: H05B3/72 分类号: H05B3/72;H05B3/20;H05B3/30;H05B3/48
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 加热器 单元
【说明书】:

本发明提供一种可靠性得到提高的、具有细径护套加热器的加热器单元。加热器单元包括:相互接合的第一基材和第二基材;槽,设置于上述第一基材与上述第二基材的接合面的至少一方;以及护套加热器,配置于上述槽的内侧,其中,上述护套加热器包括:金属护套;发热线,以具有间隙的方式配置于上述金属护套内,呈带状,并且相对于上述金属护套的轴方向旋转配置;绝缘材料,配置于上述间隙;以及连接端子,配置于上述金属护套的一端,分别与上述发热线的两端电连接。

技术领域

本发明涉及加热器单元。尤其涉及装载有在半导体装置的制造工艺中使用的护套加热器(sheath heater)的加热器单元。

背景技术

半导体装置装载在几乎所有电子设备上,并且对电子设备功能起到重要的作用。在半导体装置的制造工艺中,通过在半导体基板上成膜和加工薄膜来形成晶体管元件、配线、电阻元件、电容元件等的功能元件。作为半导体基板上形成薄膜的方法,使用有化学气相沉积(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、物理气相沉积(PVD:Physical VaporDeposition)法、原子层沉积法(ALD:Atomic Layer Deposition)等。此外,作为加工薄膜的方法,使用有反应性离子蚀刻(RIE:Reactive Ion Etching)法、机械抛光(MP:MechanicalPolishing)、化学机械抛光(CMP:Chemical Mechanical Polishing)等。此外,在半导体装置的制造工艺中,除了薄膜的成膜和加工之外,还进行等离子体处理等的表面处理工艺。

在上述成膜、加工和表面处理工艺中,许多反应条件决定了薄膜的特性,其中之一是半导体基板的温度。在大多数的情况下,通过调节其上设置半导体基板的载置台(以下,称为“工作台(stage)”)的温度来控制半导体基板的温度。为了调节工作台的温度,作为加热机构的护套加热器以曲折或螺旋形状埋设工作台中。

例如,专利文献1公开了在单个金属管状的护套内具备有多个发热线的护套加热器。通常,其目的在于,使用多个发热线中的一根来进行加热,当该发热线断线时,通过将电源电路切换到其他发热线来容易且快速地恢复(recover)。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1:日本特开2002-151239号公报

发明内容

(发明所要解决的问题)

然而,在专利文献1所记载的护套加热器中,将不锈钢用于金属护套、镍铬合金用于发热线作为前提,并没有考虑到利用各自的热膨胀差小来抑制发热线的断线。

本发明的实施方式的问题之一为提供可靠性得到提高的、具有细径护套加热器的加热器单元。

(解决问题的措施)

本发明的一实施方式所提供的加热器单元:包括:相互接合的第一基材和第二基材;槽,设置于第一基材与第二基材的接合面的至少一方;以及护套加热器,配置于槽的内侧,其中,护套加热器包括:金属护套;发热线,以具有间隙的方式配置于金属护套内,呈带状,并且相对于金属护套的轴方向旋转配置;绝缘材料,配置于间隙;以及连接端子,配置于金属护套的一端,分别与发热线的两端电连接。

此外,在其他实施方式中,发热线可以在金属护套内成为双轴的区域中配置成双螺旋结构。

此外,在其他实施方式中,护套加热器配置有多个,且可以分别被独立控制。

此外,在其他实施方式中,槽可以设置于第一基材。

此外,在其他实施方式中,使用于金属护套、第一基材以及第二基材的材料可以具有相同的热膨胀系数。

此外,在其他实施方式中,使用于金属护套、第一基材以及第二基材的材料可以是相同的金属材料。

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