[发明专利]无铅厚膜电阻体及包含其的电子部件

说明书

本发明涉及一种无铅厚膜电阻体及包含其的电子部件，上述无铅厚膜电阻体的特征在于，包括：由包含硅氧化物、钡氧化物、硼氧化物和铝氧化物的第一玻璃前体混合物以及钌系复合氧化物形成的第一网络；以及由包含硅氧化物、硼氧化物和铝氧化物的第二玻璃前体混合物形成的第二网络，上述第一网络和第二网络彼此交叉形成。

技术领域

本发明涉及无铅厚膜电阻体及包含其的电子部件。更详细而言，涉及通过第一网络与第二网络彼此交叉而形成双重网络结构，即使去除铅成分也在宽电阻范围内温度特性、电流噪声、过载特性和防静电特性提高的无铅厚膜电阻体及包含其的电子部件。

背景技术

用于制造厚膜电阻体的厚膜电阻组合物一般由用于调节电阻值且赋予结合性的玻璃成分、导体材料和粘合剂以及以溶剂组成的有机媒介物(organic vehicle)等构成，通过在基板上印刷这种组合物后进行煅烧，从而形成厚膜电阻体。

现有的厚膜电阻组合物利用氧化铅系玻璃等玻璃成分以及氧化钌或氧化钌与铅的化合物等导电性材料，因此含有铅。其中氧化钌(RuO₂)系厚膜电阻体(Thick FilmResistor)通过调节RuO₂与玻璃成分的比，从而能够实现宽范围的电阻值，由于具有优异的电阻温度系数，因此广泛应用于芯片电阻与混合微电路(hybrid microcircuits)。

然而，包含铅的玻璃最近有因环境法规而禁止使用的趋势，而且已知由于低粘接力和产生气泡等，因而与氮化铝基板的相互粘合性降低。当使用含有铅成分的玻璃时，氧化物、特别是氧化铅(PbO)与作为基板的氮化铝发生反应而可能成为起泡(blistering)的原因。此外，由于玻璃内的氧化铅在煅烧时与氮化铝反应而还原为铅(Pb)并生成氮气，因而可能成为低粘接力的原因。因此，重要的是选择不包含铅且与氮化铝的相互粘接性良好的无铅的玻璃组成。此外，一般情况下RuO₂的电阻温度系数为5670ppm/℃，具有高的正的电阻温度系数，因此需要调节玻璃成分的组成，或者添加具有低电阻温度系数的成分，从而最终降低厚膜电阻的电阻温度系数。

韩国公开专利第10-2006-0056330号(专利文献1)中公开了一种电阻糊剂，其通过使用实质上不包含铅而包含NiO的玻璃成分，从而可提供具有高电阻值且电阻值的温度特性和短时间过载小的电阻体，韩国公开专利第10-2014-0025338号(专利文献2)中公开了厚膜电阻体用组合物及厚膜电阻体，上述厚膜电阻体用组合物利用具有金红石(rutile)晶体结构的氧化钌(RuO₂)粉末，即使钌的含有率低也具有充分的性能。

然而，在如上所述使玻璃成分变化或者使用具有金红石型的晶体结构的氧化钌的情况下，在煅烧电阻组合物时粒子的生长被抑制而电阻率降低，并且厚膜电阻体的电阻值稳定性、温度特性(TCR)和C-Noise等电特性显著降低。此外，在制造电阻组合物时，由于一般将RuO₂粉末与玻璃成分简单混合而制造，因此难以得到构成成分之间的均匀的混合状态。由此，在厚膜电阻体中，在煅烧后难以得到均匀的微细组织，结果厚膜电阻体的电特性变化增加而依然存在厚膜电阻体的稳定性降低的问题。

发明内容

技术课题

为了解决上述问题，本发明目的在于提供一种无铅厚膜电阻体，其包括：由包含硅氧化物、钡氧化物、硼氧化物和铝氧化物的第一玻璃前体混合物以及钌系复合氧化物形成的第一网络；以及由包含硅氧化物、硼氧化物和铝氧化物的第二玻璃前体混合物形成的第二网络，上述第一网络和第二网络彼此交叉形成。

另外，另一目的在于提供通过第一网络和第二网络形成交联结构而形成双重网络结构，从而均匀地形成微细导电路径，在没有铅成分的情况下也能够在宽电阻范围内使温度特性、电阻变异系数、电流噪声、过载特性和防静电特性得到提高的无铅厚膜电阻体。

另外，另一目的在于提供一种包含上述的无铅厚膜电阻体的电子部件。

课题解决方法