[发明专利]用于物体的表面处理的装置

权利要求书

1.一种用于物体的表面处理的装置，尤其用于清洁半导体基质或玻璃基质，其带有：

a) 至少部分地容纳待处理的所述物体(12)的处理腔(14)，

b) 向在所述处理腔(14)中的所述物体(12)对准的用于UV辐射的辐射源(16)以及

c) 用于以工作流体加载所述处理腔(14)的设备(24)，

d) 其中，所述工作流体包含至少一个惰性成分和至少一个光化学活性的活性成分，

其特征在于，

e) 构造用于检测在位于所述处理腔(14)中的所述工作流体处和/或在所述物体(12)处的测量数据的测量单元(20)，以及

f) 与所述测量单元(20)相连接的控制单元(18)用于根据所检测的所述测量数据影响所述工作流体的组成。

2.根据权利要求1所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)具有用于检测所述活性成分和/或惰性成分的气体传感器(40)。

3.根据权利要求1或2所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)检测借助于所述UV辐射和所述活性成分所产生的在所述物体(12)上的清洁作用。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)具有检测所述物体(12)的表面污染的图像传感器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)构造用于通过光谱学、荧光测量或光学的吸收测量来检测所述物体(12)的污染状态。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)具有检测由所述物体(12)反射的或传输穿过所述物体(12)的辐射的辐射传感器(42)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述工作流体在多个进入部位(54)处能够分布地引入到所述处理腔(14)中的区域上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述控制单元(18)作用于至少一个尤其由阀形成的调节元件(48)用于影响所述工作流体的组成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的辐射装置，其特征在于能够以所述工作流体的成分加载的、经由流体出口与所述处理腔(14)连通的混合腔(50)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)和所述控制单元(18)形成闭合的调节回路用于影响所述工作流体的组成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述惰性成分由气态的氮气和/或稀有气体形成。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的辐射装置，其特征在于，在UV辐射的作用下光化学活性的活性成分由氧气和必要时水蒸汽形成。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述物体(12)能够借助于运输设备(26)运输穿过所述处理腔(14)。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述处理腔(14)具有入口(28)和出口(30)用于穿引所述物体(12)。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述UV辐射处于100-300nm的范围中。