[发明专利]处理腔导向装置、处理腔和用于将基体支架引导至处理位置处的方法

说明书

本发明涉及一种处理腔导向装置，所述处理腔导向装置构造成用于沿导向方向直线引导能在所述处理腔导向装置中移动的基体支架，以利用所述基体支架向处理位置处的移动，使得处理腔导向装置和基体支架至少构成处理腔导向装置的局部的边界。本发明的特征在于，所述处理腔导向装置具有用于基体支架的滚动体支承结构和至少一个密封面，所述密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，密封面与基体支架隔开小于1mm的间距。本发明还涉及一种处理腔和一种用于将基体支架引导到处理位置处的方法。

技术领域

本发明涉及一种处理腔导向装置、一种处理腔和一种用于将基体支架引导到处理位置处的方法。

背景技术

在例如为了向生长基质上沉积半导体层而给基体涂层时，使用这样的基体支架：将生长基质设置在所述基体支架上。接下来通过处理腔导向装置将该基体支架带入处理位置处。

已知的是，给该基体支架设置下部的和上部的处理腔导向装置，从而能够使基体支架平行地在处理腔导向装置中移动，并且在处理位置处构成处理腔，该处理腔在侧面通过基体支架来限定，并且向上和向下通过处理腔导向装置来限定。例如从WO 2013/004851A1已知的这种装置。

发明内容

本发明的目的在于，改进在先已知的处理腔导向装置，以便能够实现更好的处理条件。

该目的通过根据权利要求1所述的处理腔导向装置、根据权利要求8所述的处理腔、根据权利要求17所述的用于向基体上化学沉积层的装置和根据权利要求18所述的用于将基体支架引导至处理位置处的方法来实现。在从属权利要求中给出有利的设计方案。

优选地，所述处理腔导向装置构造成用于执行根据本发明的方法、特别是执行所述方法的有利的实施形式。优选地，根据本发明的方法设计成用于通过根据本发明的处理腔导向装置来实施，特别是由所述处理腔导向装置的优选实施形式来实施。

根据本发明的处理腔导向装置构造成用于沿导向方向直线引导在输送处理腔导向装置中可移动的基体支架。由此利用所述基体支架向处理位置处的移动使得，能通过处理腔导向装置和基体支架至少构成处理腔导向装置的局部的边界。

由WO 2013/004851 A1已知的对此的一个例子，其具有构造成轨道3的处理腔导向装置，基体支架1能在所述处理腔导向装置中移动(见WO2013/004851A1的图1)。基体支架1和轨道3构成处理腔的局部边界。

重要的是，在本发明中，所述处理腔导向装置具有至少一个密封面，所述密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，密封面与基体支架间隔开小于1mm、优选小于0.5mm、特别是小于0.2mm的间距。

本发明基于这样认知，即，目前的处理腔导向装置具有这样缺点：例如对于纯滑动导向装置，进入处理腔导向装置的颗粒会导致运动困难或锁止。同样可能形成磨屑，这种磨屑会进入处理腔并且在这里的磨屑可能导致所沉积的层质量降低。通过与基体支架隔开小于1mm、优选小于0.5mm的间距的密封面，能够确保在基体支架和处理腔导向装置之间有足够的密封，从而只有很少的工艺气体能够在基体支架和密封面之间穿过。

因此，密封面用于在处理腔导向装置和在处理腔导向装置中位于处理位置处的基体支架之间至少实现近似密封。为了改进密封效果，有利的是，所述密封面具有至少2mm、特别是至少10mm、优选地至少20mm的宽度，并且所述密封面垂直于导向方向并且平行于设置在处理腔导向装置中的基体支架的表面。

为了避免在处理腔导向装置中引导的基体支架与密封面之间发生接触，所述处理腔导向装置有利地构造成使得，在处理位置处，密封面与基体支架朝向密封面的表面之间具有至少0.02mm、特别是至少0.05mm、优选至少0.1mm的间距。