[发明专利]一种LED芯片结构

权利要求书

1.一种LED芯片结构，其包括一衬底，衬底上的一半导体序列，一反射层序列配置在衬底和半导体序列之间，反射层序列具有一面向半导体序列的增透膜层和一相对增透膜远离半导体序列的金属镜面层，半导体序列包括：第一导电性半导体层、发光层和第二导电性半导体层，其特征在于：半导体序列与增透膜之间的界面部分区域为粗化面，增透膜层与金属镜面层的界面是光滑面，定义所述半导体序列与增透膜之间的粗化面具有平均粗糙度为Rz，所述的增透膜层与金属反射层之间的界面的粗糙度Rz’，粗糙度Rz’为表面结构轮廓的最大高度，粗糙度Rz’为平均粗糙度Rz的一半以下；半导体序列与增透膜之间的界面部分区域为粗化面，其中部分区域是指半导体序列与增透膜之间的中间部分为粗化面，半导体序列与增透膜之间的边缘区域设置为光滑面；所述边缘区域到所述半导体序列的侧壁的距离小于等于半导体序列厚度。

2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：半导体序列还包括电流扩展层，半导体序列与增透膜之间的界面为电流扩展层与增透膜层之间的界面，所述电流扩展层与增透膜层之间的界面为粗化面。

3.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：所述的增透膜层为透明导电层，其折射率低于半导体序列折射率。

4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：半导体序列的侧面为粗化面或图案化面。

5.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：半导体序列的顶面出光面是粗化处理面。

6.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：定义所述的半导体序列与增透膜之间的界面的漫反射率为R1，而增透膜与金属镜面层界面的漫反射率为R1的至少三分之一。

7.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：所述的增透膜层为介电层，其折射率低于半导体序列折射率，所述的增透膜层的厚度为100-1000纳米。

8.根据权利要求7所述的LED芯片结构，其特征在于：所述介电层中设置孔，孔中沉积有金属材料，金属材料相同或不同于金属镜面层，并用于金属镜面层与半导体序列的电连通。

9.根据权利要求7所述的LED芯片结构，其特征在于：所述介电层中设置孔，孔中沉积透明导电层，用于金属镜面层与半导体序列的电连通。

10.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于：所述的电流扩展层为磷化镓，所述的电流扩展层的厚度至少0.5微米。

11.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于：所述的电流扩展层的厚度1-2μm。

12.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：所述的衬底为导电衬底，并且在背面有背面金属，背面金属用于与半导体序列中靠近增透膜侧的半导电性半导体层进行电连接。

13.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：所述的衬底为非导电衬底。

14.根据权利要求13所述的LED芯片结构，其特征在于：所述粗糙度Rz’为平均粗糙度Rz的四分之一以下。