[发明专利]电阻变化元件的制造方法及电阻变化元件在审
| 申请号： | 201880025658.4 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110537255A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 宫口有典;神保武人;真仁田峻;太田俊平;安炯祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李海龙;王刚<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化物层 氮化钛 电极层 电阻率 电阻变化元件 基板 偏置电压 电特性 溅射法 制造 施加 | ||
1.一种电阻变化元件的制造方法，包括如下工序：
在基板上形成第一氮化钛电极层；
在所述第一氮化钛电极层上形成具有第一电阻率的第一金属氧化物层；
在所述第一金属氧化物层上形成具有与所述第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物层；以及
在对所述基板施加偏置电压的同时，在所述第二金属氧化物层上通过溅射法形成第二氮化钛电极层。
2.根据权利要求1所述的电阻变化元件的制造方法，其中，
形成所述第二氮化钛电极层的工序包括对所述基板施加0.03W/cm2以上且0.62W/cm2以下的偏置功率的工序。
3.根据权利要求1或2所述的电阻变化元件的制造方法，其中，
形成所述第二氮化钛电极层的工序包括以3nm以上且11nm以下的膜厚形成所述第二金属氧化物层的工序。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电阻变化元件的制造方法，其中，
形成所述第二氮化钛电极层的工序包括：使用稀有气体与氮气的混合气体作为溅射气体，并且相对于所述混合气体的总流量而言的所述氮气的流量为10％以上且100％以下的工序。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电阻变化元件的制造方法，其中，
形成所述第二氮化钛电极层的工序包括将所述基板的温度调整为20℃以上且320℃以下的工序。
6.根据权利要求4或5所述的电阻变化元件的制造方法，其中，
包括将所述混合气体的压力调整为0.1Pa以上且1Pa以下的工序。
7.一种电阻变化元件，具备：
第一氮化钛电极层；
第二氮化钛电极层；以及
氧化物半导体层，其设置在所述第一氮化钛电极层与所述第二氮化钛电极层之间，并具有第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层具有第一电阻率，所述第二金属氧化物层设置在所述第一金属氧化物层与所述第二氮化钛电极层之间，并具有与所述第一电阻率不同的第二电阻率，
所述第二氮化钛电极层具有4.8g/cm3以上且5.5g/cm3以下的密度。
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