[发明专利]芯片的制造方法及硅芯片

权利要求书

1.一种芯片的制造方法，其特征在于，

包括：

第1工序，对包含多个功能元件的基板设定第1切断预定线和第2切断预定线，所述第1切断预定线以通过所述功能元件间的方式延伸，所述第2切断预定线以通过所述功能元件间的方式朝向与所述第1切断预定线交叉的方向延伸；

第2工序，以覆盖所述功能元件且使包含所述第1切断预定线和所述第2切断预定线的交叉点的交叉区域露出的方式，在所述基板形成掩模；

第3工序，通过利用所述掩模对所述基板进行蚀刻，从所述基板将所述交叉区域除去而形成贯通孔；

第4工序，在所述第3工序之后，使激光的聚光点沿着所述第1切断预定线对于所述基板进行相对移动，由此沿着所述第1切断预定线在所述基板形成改质区域；

第5工序，在所述第3工序之后，使激光的聚光点沿着所述第2切断预定线对于所述基板进行相对移动，由此沿着所述第2切断预定线在所述基板形成改质区域；以及

第6工序，在所述第4工序及所述第5工序之后，沿着所述第1切断预定线及所述第2切断预定线将所述基板切断而形成对应于所述功能元件的芯片，

在所述第4工序及所述第5工序中，当所述聚光点到达所述贯通孔并且所述聚光点抵达离所述贯通孔的内侧面第1规定距离的前方的位置时，以使所述激光的输出低于加工阈值的方式使该输出减小，并且，在所述激光的输出减小后当所述激光的聚光位置通过所述贯通孔后并且所述激光的聚光位置抵达离所述贯通孔的内侧面第2规定距离的所述基板的内部侧时，以使所述激光的输出超过加工阈值的方式使该输出增大。

2.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其中

包括：

第7工序，在所述第3工序后且在所述第4工序及所述第5工序之前，在所述贯通孔的内侧面形成金属膜。

3.如权利要求1或2所述的芯片的制造方法，其中，

所述交叉区域具有朝向所述交叉区域的中心呈凸状的形状。

4.如权利要求1～3中任一项所述的芯片的制造方法，其中，

所述蚀刻为干蚀刻。

5.一种芯片的制造方法，其特征在于，

包括：

第1工序，对包含多个功能元件的基板形成掩模，所述掩模覆盖所述功能元件且具有规定所述功能元件的角部的开口；

第2工序，通过利用所述掩模对所述基板进行蚀刻，将对应于所述开口的贯通孔形成于所述基板；

第3工序，设定第1切断预定线和第2切断预定线，所述第1切断预定线以通过所述功能元件间的方式延伸，所述第2切断预定线以通过所述功能元件间且在所述贯通孔中与所述第1切断预定线交叉的方式朝向与所述第1切断预定线交叉的方向延伸；

第4工序，在所述第3工序之后，使激光的聚光点沿着所述第1切断预定线对于所述基板进行相对移动，由此沿着所述第1切断预定线在所述基板形成改质区域；

第5工序，在所述第3工序之后，使激光的聚光点沿着所述第2切断预定线对于所述基板进行相对移动，由此沿着所述第2切断预定线在所述基板形成改质区域；

第6工序，在所述第4工序及所述第5工序之后，沿着所述第1切断预定线及所述第2切断预定线将所述基板切断而形成对应于所述功能元件的芯片，

在所述第4工序及所述第5工序中，当所述聚光点到达所述贯通孔并且所述聚光点抵达离所述贯通孔的内侧面第1规定距离的前方的位置时，以使所述激光的输出低于加工阈值的方式使该输出减小，并且，在所述激光的输出减小后当所述激光的聚光位置通过所述贯通孔后并且所述激光的聚光位置抵达离所述贯通孔的内侧面第2规定距离的所述基板的内部侧时，以使所述激光的输出超过加工阈值的方式使该输出增大。

6.如权利要求5所述的芯片的制造方法，其中

具备：

第7工序，在所述第2工序后且在所述第4工序及所述第5工序之前，在所述贯通孔的内侧面形成金属膜。

7.如权利要求5或6所述的芯片的制造方法，其中，

所述开口具有朝向所述开口的中心呈凸状的形状。