[发明专利]光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法

权利要求书

1.一种光烧结粒子制备方法，其特征在于，包括：

准备纳米粒子的步骤；以及

以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤，

在形成上述氧化膜的步骤中，

在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，

上述第一厚度小于上述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，上述预设基准值为1W/mK。

3.根据权利要求1所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，上述第一厚度为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度为上述纳米粒子直径的3～10％。

4.一种光烧结靶制备方法，其特征在于，包括：

准备纳米粒子的步骤；

以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；以及

使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤，

在形成上述氧化膜的步骤中，

在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，

上述第一厚度小于上述第二厚度。

5.根据权利要求4所述的光烧结靶制备方法，其特征在于，上述预设基准值为1W/mK。

6.根据权利要求4所述的光烧结靶制备方法，其特征在于，上述第一厚度为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度为上述纳米粒子直径的3～10％。

7.一种光烧结方法，其特征在于，包括：

以所要形成纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；

使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤；

在上述基板形成所制备的上述导电性靶的步骤；以及

对形成于上述基板的导电性靶进行光烧结的步骤，

在形成上述氧化膜的步骤中，

在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，上述第一厚度小于上述第二厚度。

8.根据权利要求7所述的光烧结方法，其特征在于，

在上述进行光烧结的步骤中，

在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一强度的光向上述基板照射，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二强度的光向上述基板照射，上述第一强度小于上述第二强度。

9.一种光烧结粒子制备方法，其特征在于，包括：

根据所要形成纳米粒子的基板的特性来确定是否需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤；以及

在需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的情况下，以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤，

在形成上述氧化膜的步骤中，

在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，上述第一厚度小于上述第二厚度。

10.根据权利要求9所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，上述基板的特性为热导率，在上述热导率为1W/mK以上的情况下，判断为需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜。

11.根据权利要求9所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，在上述基板包含硅的情况下，判断为需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜。