[发明专利]半导体马赫-曾德尔型光调制器

权利要求书

1.一种半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，具备：

输入波导；光分波器，对从所述输入波导输入的光进行分波；第一臂波导和第二臂波导，对由所述光分波器进行了分波的光进行波导；光合波器，对由所述第一臂波导和所述第二臂波导进行了波导的光进行合波；以及输出波导，输出由所述光合波器进行了合波的光，

所述第一臂波导和所述第二臂波导具备将第一导电性半导体包层、非掺杂半导体芯层以及第二导电性半导体包层按顺序层叠在半导体基板上而形成的波导构造，

所述半导体马赫-曾德尔型光调制器具备：

第一信号电极，与所述第一臂波导并联地形成；

第二信号电极，与所述第二臂波导并联地形成；

多个第一相位调制电极，从所述第一信号电极分支，沿所述第一信号电极离散地设于所述第一臂波导上；

多个第二相位调制电极，从所述第二信号电极分支，沿所述第二信号电极离散地设于所述第二臂波导上；

第一接地电极，沿所述第一信号电极并联地形成；

第二接地电极，沿所述第二信号电极并联地形成；以及

多个连接配线，在多个点之间连接所述第一接地电极和所述第二接地电极，

所述第一信号电极和所述第二信号电极被输入/输出差分信号，

相邻的所述多个连接配线以在所述第一信号电极和所述第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置，

若将所述第一信号电极与所述第二信号电极的距离设为L1，将所述第一信号电极和与所述第一信号电极相邻的所述第一接地电极之间的距离、以及所述第二信号电极和与所述第二信号电极相邻的所述第二接地电极之间的距离分别设为L2时，满足2L1≤L2的关系。

2.根据权利要求1所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，

所述连接配线由下述构件中的任一方构成：

金属丝；

背面接地电极，设于所述半导体基板的背面，经由分别连接于所述第一接地电极和所述第二接地电极的第一通孔和第二通孔，连接所述第一接地电极和所述第二接地电极；以及

上表面接地电极，设于所述半导体基板的上表面侧，经由分别连接于所述第一接地电极和所述第二接地电极的第一通孔和第二通孔，连接所述第一接地电极和所述第二接地电极。

3.根据权利要求1或2所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，

在所述第一相位调制电极和所述第二相位调制电极下，形成有所述第一臂波导和所述第二臂波导。

4.根据权利要求3所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，

所述第一臂波导和所述第二臂波导中的、在所述第一臂波导和所述第二臂波导上未形成所述第一相位调制电极和所述第二相位调制电极的部分具有在所述非掺杂半导体芯层上形成有非掺杂半导体包层的构成。

5.根据权利要求1所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，

所述第一导电性半导体包层和所述第二导电性半导体包层中，任一方由n型半导体构成，另一方由p型半导体构成。

6.根据权利要求1所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，

所述第一导电性半导体包层和所述第二导电性半导体包层的双方均由n型半导体构成，

所述波导构造中，在所述非掺杂半导体芯层与所述第一导电性半导体包层之间，或在所述非掺杂半导体芯层与所述第二导电性半导体包层之间，还形成有由p型半导体构成的第三导电性半导体包层。

7.根据权利要求1所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器，其特征在于，

所述非掺杂半导体芯层的至少一部分具有多量子阱层构造。

8.一种偏振复用型IQ调制器，配置为并联地设有四个如权利要求1至7中任一项所述的半导体马赫-曾德尔型光调制器。