[发明专利]用于增加材料中的氢捕集空位的方法

权利要求书

1.一种降低过渡金属或金属合金的金属结构中的金属原子的配位数的方法，所述方法包括：

形成金属有机液相前体；和

将所述金属有机液相前体还原成晶体金属结构；

其中在金属结构的表面上，晶体面的相交部处的过渡金属的配位数减少。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属有机液相前体包括金属乙酰丙酮化物溶液。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属乙酰丙酮化物溶液为金属乙酰丙酮化物、甲醛溶液和1-辛胺溶液的混合物，并且其中将所述金属乙酰丙酮化物溶液还原成金属结构包括：

将所述金属乙酰丙酮化物溶液在第一温度下加热第一时间段；

将加热的溶液冷却至室温；

将溶液离心分离以得到纳米晶体的固体产物；和

用乙醇或丙酮或两者的混合物冲洗纳米晶体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一温度在200℃和300℃之间。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一时间段为最少五个小时。

6.根据权利要求3所述的方法，还包括用乙醇、丙酮或两者的混合物冲洗纳米晶体两次至五次。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述甲醛溶液为40％。

8.根据权利要求2所述的方法，其中将所述金属乙酰丙酮化物溶液还原成金属结构包括：

将由硼硅酸盐玻璃制成的基板加热至第一温度；和

利用脉冲序列将所述金属乙酰丙酮化物溶液沉积于所述基板上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述脉冲序列包括由N₂、N₂吹扫、空气和N₂吹扫所承载的金属乙酰丙酮化物溶液。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一温度在350℃和400℃之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属或金属合金包括以下项中的一种或多种：Ti、Zr、Hf、Cr、V、Nb、Ta、Mo、W、Fe、Ru、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Al、In、Sn和Pb。

12.一种减少金属氧化物膜中的金属原子的配位数的方法，所述金属氧化物膜包括过渡金属或金属合金，所述方法包括：

将金属有机固相前体溶解以形成溶液；

将所述溶液在第一温度下注入蒸发单元中的惰性载体气体中以制备蒸发前体；

将所述蒸发前体沉积于加热的基板上，其中所述基板加热至用以从前体移除有机部分所需的预定温度；和

引入氧气以在基板上形成薄的金属氧化物膜；

其中所述金属氧化物膜的表面处的金属原子具有减少的配位数。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属有机固相前体包括溶解于正丁基己烷中的2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮合金属。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在惰性气体气氛中加热所述金属氧化物膜；

使金属氧化物还原以移除氧原子；和

形成空位以减少金属氧化物膜中的金属原子的配位数。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述基板包括蓝宝石。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一温度在240℃和260℃之间。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述预定温度在275℃和325℃之间。