[发明专利]光调制装置

权利要求书

1.一种光调制装置，包括光调制膜层，所述光调制膜层具有彼此相对设置的第一聚合物膜基底和第二聚合物膜基底以及在所述第一聚合物膜基底与所述第二聚合物膜基底之间的光调制层，

其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的对波长为550nm的光的面内延迟为4,000nm或更大，

所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自为经拉伸的聚合物膜，

所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的第一方向为横向方向，以及所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的第二方向为机器方向，

所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的在所述第一方向上的伸长率E1与在垂直于所述第一方向的所述第二方向上的伸长率E2的比率E1/E2为3或更大，其中在所述第一方向上的伸长率E1和在所述第二方向上的伸长率E2通过使用UTM设备在25℃下以10mm/分钟的拉伸速度施加力进行拉伸强度测试来测量，以及

所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底被设置成使得由所述第一聚合物膜基底的所述第一方向与所述第二聚合物膜基底的所述第一方向形成的角度在0度至10度的范围内。

2.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自为其中在一侧上形成有电极层的电极膜基底，并且所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底被设置成使得所述电极层彼此面对。

3.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底为聚酯膜基底。

4.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的在所述第一方向上的伸长率为15％或更大。

5.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自具有比在所述第一方向上的伸长率E1更大的在第三方向上的伸长率E3，并且在所述第三方向上的伸长率E3与在所述第二方向上的伸长率E2的比率E3/E2为5或更大，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向二者均形成40度至50度范围内的角度，

其中在所述第三方向上的伸长率E3通过使用UTM设备在25℃下以10mm/分钟的拉伸速度施加力进行拉伸强度测试来测量。

6.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的在所述第二方向上的热膨胀系数CTE2与在所述第一方向上的热膨胀系数CTE1的比率CTE2/CTE1为1.5或更大。

7.根据权利要求6所述的光调制装置，其中在所述第二方向上的热膨胀系数CTE2在5ppm/℃至150ppm/℃的范围内。

8.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的在所述第一方向上的弹性模量YM1与在所述第二方向上的弹性模量YM2的比率YM1/YM2为1.5或更大，

其中在所述第一方向上的弹性模量YM1和在所述第二方向上的弹性模量YM2通过使用UTM设备在25℃下以10mm/分钟的拉伸速度施加力进行拉伸强度测试来测量。

9.根据权利要求8所述的光调制装置，其中在所述第一方向上的弹性模量YM1在2GPa至10GPa的范围内。

10.根据权利要求1所述的光调制装置，其中所述第一聚合物膜基底和所述第二聚合物膜基底各自的在所述第一方向上的最大应力MS1与在所述第二方向上的最大应力MS2的比率MS1/MS2为1.5或更大，

其中在所述第一方向上的最大应力MS1和在所述第二方向上的最大应力MS2通过使用UTM设备在25℃下以10mm/分钟的拉伸速度施加力进行拉伸强度测试来测量。

11.根据权利要求10所述的光调制装置，其中在所述第一方向上的最大应力MS1在150MPa至250MPa的范围内。