[发明专利]存取存储器中的数据有效
申请号: | 201880027319.X | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN110574108B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | T·P·芬克拜纳;G·E·胡申;D·L·平尼 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G06F13/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存取 存储器 中的 数据 | ||
本发明包含与存取存储器中的数据相关的设备及方法。一种实例方法包括:响应于接收执行第二操作的请求,将与第一操作相关联的数据存储于第一感测放大器中;及当与所述第一操作相关联的所述数据被存储于所述第一感测放大器中时,执行与一行存储器单元相关联的所述第二操作。
技术领域
本发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及与存取存储器中的数据相关的设备及方法。
背景技术
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据(例如主机数据、错误数据等),且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及晶闸管随机存取存储器(TRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可在未通电时保持经存储数据提供持久性数据,且包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM),例如自旋力矩转移随机存取存储器(STT RAM)以及其它存储器。
电子系统通常包含数个处理资源(例如一或多个处理器),其可检索及执行指令及将经执行指令的结果存储到合适的位置。处理器可包括数个功能单元,例如(举例来说)算术逻辑单元(ALU)电路、浮点单元(FPU)电路及组合逻辑块,其可用于通过对数据(例如一或多个操作数)执行操作(例如计算操作)来执行指令。如本文使用,计算操作可为例如布尔运算,例如AND、OR、NOT、NAND、NOR及XOR及/或可涉及操纵数据的其它操作(例如反转、移位、算术、统计以及许多其它可能操作)。举例来说,功能单元电路可用于经由数个逻辑运算对操作数执行算术运算,例如加法、减法、乘法及除法。例如上文描述的计算操作可与“存储器操作”区分开,“存储器操作”如本文使用可指代不涉及数据操纵的操作(例如,经由通常与处理资源相关联的功能单元)。存储器操作的实例包含数据读取、数据写入及数据刷新操作。
在许多例子中,处理资源(例如,处理器及相关联的功能单元电路)可在存储器阵列外,且数据经由处理资源与存储器阵列之间的总线存取以执行一组指令。处理性能可在存储器中处理(PIM)装置中得到改进,其中处理及/或逻辑资源可内部地实施及/或靠近存储器实施(例如,直接在与存储器阵列相同的芯片上)。存储器中处理(PIM)装置可通过减少及消除外部通信节省时间且还可节约电力。
附图说明
图1是根据本发明的数个实施例的呈包含存储器装置的计算系统的形式的设备的框图。
图2是说明根据本发明的数个实施例的感测电路的示意图。
图3说明根据本发明的数个实施例的与存取存储器中的数据相关联的流程图。
图4A说明与使用感测电路执行数个操作相关联的时序图。
图4B说明根据本发明的数个实施例的与使用感测电路执行数个操作相关联的时序图。
图5是说明根据本发明的数个实施例的感测电路的示意图。
图6是说明根据本发明的数个实施例的可由感测电路(例如图5中展示的感测电路)实施的可选逻辑运算结果的逻辑表。
具体实施方式
本发明包含与存取存储器中的数据相关的设备及方法。一种实例方法包括:响应于接收执行第二操作的请求,将与第一操作相关联的数据存储于第一感测放大器中;及当与所述第一操作相关联的所述数据被存储于所述第一感测放大器中时,执行与存储器单元相关联的所述第二操作。
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