[发明专利]氮化物系发光装置

权利要求书

1.一种氮化物系发光装置，具备：

氮化物系半导体发光元件，其在Al_xGa_1-xN基板上具有从所述Al_xGa_1-xN基板侧依次层叠了第一导电型的第一包层、第一光导层、量子阱活性层、第二光导层及第二导电型的第二包层的多层构造，其中，0≤x≤1；以及

底座基板，其用于安装所述氮化物系半导体发光元件，

所述氮化物系半导体发光元件安装于所述底座基板使得所述多层构造与所述底座基板对置，

所述底座基板由金刚石形成，

在所述氮化物系半导体发光元件中，在所述Al_xGa_1-xN基板侧形成有凹型的翘曲。

2.根据权利要求1所述的氮化物系发光装置，其中，

所述Al_xGa_1-xN基板是GaN基板。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系发光装置，其中，

所述多层构造相对于所述Al_xGa_1-xN基板具有压缩性的平均形变。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化物系发光装置，其中，

所述第一光导层及所述第二光导层中的至少一方包括In。

5.根据权利要求4所述的氮化物系发光装置，其中，

所述第一光导层及第二光导层的In组成分别为6％以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氮化物系发光装置，其中，

在所述Al_xGa_1-xN基板与所述第一包层之间还具备缓冲层，该缓冲层包括相对于所述Al_xGa_1-xN基板具有压缩性的平均形变的氮化物半导体层。

7.根据权利要求6所述的氮化物系发光装置，其中，

所述缓冲层包括In。

8.根据权利要求6或7所述的氮化物系发光装置，其中，

所述缓冲层还包括AlGaN层。

9.根据权利要求4或5所述的氮化物系发光装置，其中，

所述量子阱活性层由量子阱层和阻挡层构成，所述阻挡层的In组成为所述第一光导层及所述第二光导层的In组成以上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的氮化物系发光装置，其中，

在所述第二包层形成有脊。

11.根据权利要求10所述的氮化物系发光装置，其中，

在所述脊的所述第二光导层侧具备包括In的层或者由GaN构成的层。

12.根据权利要求2所述的氮化物系发光装置，其中，

所述GaN基板具有无极性或半极性的面方位，

所述多层构造中的Al组成为1％以下。

13.根据权利要求12所述的氮化物系发光装置，其中，

所述多层构造不包括Al。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的氮化物系发光装置，其中，

在所述多层构造与所述底座基板之间，从所述第二包层侧依次具备第一阻挡层、第一焊盘电极层、第二阻挡层及接合层，

所述第二阻挡层的短边方向的宽度比所述第一阻挡层的短边方向的宽度窄。